安徽格恩半导体有限公司阚宏柱获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种GaN基化合物半导体激光器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411405446.2，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种GaN基化合物半导体激光器元件是由阚宏柱;郑锦坚;张江勇;胡志勇;蔡鑫;钟志白;张钰;陈婉君;寻飞林;邓和清;李水清设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基化合物半导体激光器元件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种GaN基化合物半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层和下波导层之间设置有电子自旋态调控层，设计电子自旋态调控层中第一电子自旋态调控层和第二电子自旋态调控层的压电极化系数分布，以及下限制层、下波导层、第一电子自旋态调控层和第二电子自旋态调控层之间压电极化系数的关系。本发明能够提升半导体激光器元件性能。
本发明授权一种GaN基化合物半导体激光器元件在权利要求书中公布了：1.一种GaN基化合物半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述下限制层和下波导层之间设置有电子自旋态调控层，所述电子自旋态调控层包括第一电子自旋态调控层和第二电子自旋态调控层，所述第一电子自旋态调控层位于第二电子自旋态调控层下方，所述下限制层、下波导层、第一电子自旋态调控层和第二电子自旋态调控层均具有压电极化系数分布特性，且所述下波导层的压电极化系数≥第二电子自旋态调控层的压电极化系数≥第一电子自旋态调控层的压电极化系数≥下限制层的压电极化系数，所述第一电子自旋态调控层的压电极化系数具有函数y1=A+Bx1-a曲线分布，且a为大于1的奇数，x1为第一电子自旋态调控层往第二电子自旋态调控层方向的深度，所述第二电子自旋态调控层的压电极化系数具有函数y2=bx22+cx2+d曲线分布，且b＜0，x2为第二电子自旋态调控层往下波导层方向的深度。
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