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龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411534236.3，技术领域涉及：H10D1/40；该发明授权半导体器件及其制作方法是由马小波;汪海旸;陈莉芬;崔永久设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，其能够在不增加额外掩膜成本的情况下，在半导体器件的非器件区域形成隔离电阻结构，该隔离电阻结构既具有隔离效果‑能提高隔离不同器件区域的第一沟槽结构和第二沟槽结构之间的击穿电压；又具备电阻功能‑能提供器件区域的所需阻值，且不占据器件区域的面积，利于器件区域内器件的部署。

本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体主体，包括衬底、设置在所述衬底之上的埋层以及设置在所述埋层之上的外延层； 隔离结构，设置于所述半导体主体内，所述隔离结构将所述半导体主体划分为若干器件区域，所述隔离结构包括第一沟槽和第二沟槽； 所述第一沟槽从所述外延层的顶表面延伸到所述埋层中，所述第一沟槽内设置有第一沟槽结构，所述第一沟槽结构被配置为将所述埋层电连接至所述外延层的顶表面； 所述第二沟槽从所述外延层的顶表面延伸到所述衬底中，所述第二沟槽内设置有第二沟槽结构，所述第二沟槽结构被配置为将所述衬底电连接至所述外延层的顶表面； 隔离电阻结构，设置于所述半导体主体内且位于所述第一沟槽和第二沟槽之间，所述隔离电阻结构至少用于为器件区域提供所需阻值，且所述隔离电阻结构被配置为隔离所述第一沟槽结构和第二沟槽结构，所述隔离电阻结构包括第三沟槽； 所述第三沟槽从所述外延层的顶表面延伸到所述衬底中，且所述第三沟槽的深度小于所述第二沟槽的深度，所述第三沟槽内设置有第三沟槽电阻结构，其中所述第三沟槽电阻结构包括： 衬垫，设置在所述第三沟槽的内壁上； 介电层，设置在所述第三沟槽中且位于所述衬垫表面，所述介电层和所述衬垫于所述外延层的顶表面处被部分刻蚀以形成第一开口；以及 第一导电材料，设置在所述第三沟槽中且至少填充所述第一开口，其中通过改变所述第一开口内的第一导电材料的掺杂浓度能够调节所述隔离电阻结构的阻值。

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