上海交通大学赵亚平获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种钴基双金属氧化物及其制备方法和应用、电极材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119430302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411366512.X，技术领域涉及：C01G51/40；该发明授权一种钴基双金属氧化物及其制备方法和应用、电极材料是由赵亚平;刘智源;谭慧君设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钴基双金属氧化物及其制备方法和应用、电极材料在说明书摘要公布了：本发明提供了一种钴基双金属氧化物的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明提供的钴基双金属氧化物的制备方法，包括：将非钴金属源与三氧化二钴混合后在超临界二氧化碳条件下进行球磨，得到钴基双金属氧化物。本发明以三氧化二钴和非钴金属源为原料，在超临界二氧化碳条件下球磨，原料在球磨罐和球磨珠的碰撞、挤压、冲击和剪切作用下，离子键发生断裂和重组，得到钴基双金属氧化物；利用超临界二氧化碳的压力和温度，可以改变反应体系的性质，如密度等，避免反应物结块，提高了反应的能量效率，减少产物晶相结构中的杂质，提高产物纯度，进而提高了产物的电化学性能。
本发明授权一种钴基双金属氧化物及其制备方法和应用、电极材料在权利要求书中公布了：1.一种钴基双金属氧化物的制备方法，其特征在于，包括：将非钴金属源与三氧化二钴混合后在超临界二氧化碳条件下进行球磨，得到钴基双金属氧化物；所述非钴金属源为含非钴金属的碱或盐；所述球磨的时间为8h以上；所述非钴金属为镁或镍； 所述超临界二氧化碳条件的温度为35~80℃，所述超临界二氧化碳条件的压力为8~20MPa。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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