北京航空航天大学何健获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利环境障-红外隐身涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119462209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411494629.6，技术领域涉及：C04B41/89；该发明授权环境障-红外隐身涂层及其制备方法是由何健;周琪杰;文娇;郭谦;田佳睿;郭洪波;宫声凯设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本环境障-红外隐身涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种环境障‑红外隐身涂层及其制备方法，环境障‑红外隐身涂层包括依次层叠设置的SiC基陶瓷基体、粘接层、中间层和红外隐身层；中间层相对临近红外隐身层的一侧表面上设置有至少一个刻蚀区，红外隐身层包含陶瓷柱状晶、陶瓷颗粒以及相邻两个陶瓷柱状晶之间的柱状空腔，陶瓷颗粒填充在刻蚀区内，陶瓷柱状晶位于中间层具有刻蚀区的表面的未刻蚀区域，柱状空腔位于陶瓷颗粒的上方。本申请提供的环境障‑红外隐身涂层中，具有优异的高温抗腐蚀性能和红外隐身性能。
本发明授权环境障-红外隐身涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种环境障-红外隐身涂层，其特征在于，包括依次层叠设置的SiC基陶瓷基体、粘接层、中间层和红外隐身层；所述中间层相对临近所述红外隐身层的一侧表面上设置有至少一个刻蚀区，所述红外隐身层包含陶瓷柱状晶、陶瓷颗粒以及相邻两个所述陶瓷柱状晶之间的柱状空腔，所述陶瓷颗粒填充在所述刻蚀区内，所述陶瓷柱状晶位于所述中间层具有所述刻蚀区的表面的未刻蚀区域，所述柱状空腔位于所述陶瓷颗粒的上方； 所述柱状空腔在所述红外隐身层中的体积占比为10%-40%；所述柱状空腔沿所述红外隐身层的厚度方向贯穿所述红外隐身层，所述柱状空腔的宽度为8μm-15μm；所述红外隐身层的制备方法包括等离子物理气相沉积。
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