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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种基于灰阶值变化栅极调控的叠层结构发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119580643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411405253.7，技术领域涉及：G09G3/3225；该发明授权一种基于灰阶值变化栅极调控的叠层结构发光器件是由张永爱;邹振游;翁书臣;林怡彬;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于灰阶值变化栅极调控的叠层结构发光器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于灰阶值变化栅极调控的叠层结构发光器件，包括：多个发光单元，发光单元依次包括第一电极、发光功能层、第二电极；发光单元的第一电极和或第二电极侧设置栅极绝缘层，栅极绝缘层上设置栅极调控电极；发光单元的第二电极接地，发光单元的第一电极与薄膜晶体管开关的漏极相连接，薄膜晶体管开关的源极连接数据引线，薄膜晶体管开关的栅极连接扫描引线，薄膜晶体管开关的漏极还与放大场效应晶体管的栅极相连接，放大场效应晶体管的源极与调控电压源相连接，调控电压源用于向放大场效应晶体管的源极提供需求的电压，放大场效应晶体管的漏极与栅极调控电极相连接。本发明可以在根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整，节约能源。

本发明授权一种基于灰阶值变化栅极调控的叠层结构发光器件在权利要求书中公布了：1.一种基于灰阶值变化栅极调控的叠层结构发光器件，其特征在于，所述叠层结构发光器件包括：多个发光单元，所述发光单元依次包括第一电极、发光功能层、第二电极；所述发光单元的所述第一电极和或所述第二电极侧设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设置栅极调控电极；所述发光单元的所述第二电极接地，所述发光单元的所述第一电极与薄膜晶体管开关的漏极相连接，所述薄膜晶体管开关的源极连接用于控制所述发光单元亮度的数据引线，所述薄膜晶体管开关的栅极连接用于控制所述薄膜晶体管开关选通的扫描引线，所述薄膜晶体管开关的漏极还与放大场效应晶体管的栅极相连接，所述放大场效应晶体管的源极与调控电压源相连接，所述调控电压源用于向所述放大场效应晶体管的源极提供需求的电压，所述放大场效应晶体管的漏极与所述栅极调控电极相连接；所述薄膜晶体管开关的漏极还连接有储能电容，所述储能电容用于使原本发光的所述发光单元持续发光从而延长发光时间； 当所述数据引线对选通的所述发光单元进行驱动使所述发光单元发光时，所述数据引线的驱动电压同时也施加于所述放大场效应晶体管的栅极之上；在所述调控电压源施加电压不变的情况下，所述驱动电压改变所述放大场效应晶体管沟道中的载流子浓度和导电性，从而控制所述放大场效应晶体管的漏极电流大小，使所述栅极调控电极的调控栅压根据所述驱动电压的变化而变化；其中，所述调控栅压用于构建电场调控所述发光单元内的载流子的迁移率而调整所述发光单元的发光效率。

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