买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东芯半导体股份有限公司申请的专利反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411671481.9，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器是由任雪;俞惠设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器在说明书摘要公布了：本发明的反熔丝存储器的读出电路用于在反熔丝存储器中读取特定反熔丝单元的逻辑，其包括：预充电PMOS，该预充电PMOS的源极连接到存储器内部电源，漏极连接到被选择出的特定反熔丝单元的位线，栅极输入有读使能信号，预充电PMOS将位线预充电到存储器内部电源的规定的电平；比较器，位线的电平被输入到该比较器的负输入端，基准电平被输入到该比较器的正输入端，比较器比较位线的电平和基准电平，并从输出端输出比较结果；反馈电路，该反馈电路由一个PMOS所构成，该PMOS的源极连接到存储器内部电源，漏极连接到被选择出的特定反熔丝单元的位线，栅极连接到比较器的输出端；以及锁存器，该锁存器接收从比较器的输出端输出的比较结果，将比较结果锁存并输出，反馈电路配置成在因特定反熔丝单元的电阻值减小而对被选择出的特定反熔丝单元的位线进行放电时减缓位线的电压下降速度。

本发明授权反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝存储器的读出电路，用于在反熔丝存储器中读取特定反熔丝单元的逻辑，所述读出电路的特征在于，包括： 预充电PMOS，该预充电PMOS的源极连接到存储器内部电源，漏极连接到被选择出的所述特定反熔丝单元的位线，栅极输入有读使能信号，所述预充电PMOS将所述位线预充电到所述存储器内部电源的规定的电平； 比较器，所述位线的电平被输入到该比较器的负输入端，基准电平被输入到该比较器的正输入端，所述比较器比较所述位线的电平和所述基准电平，并从输出端输出比较结果； 反馈电路，该反馈电路由一个PMOS所构成，所述PMOS的源极连接到所述存储器内部电源，漏极连接到被选择出的所述特定反熔丝单元的所述位线，栅极连接到所述比较器的所述输出端；以及 锁存器，该锁存器接收从所述比较器的所述输出端输出的所述比较结果，将所述比较结果锁存并输出， 所述反馈电路配置成在因所述特定反熔丝单元的电阻值减小而对被选择出的所述特定反熔丝单元的所述位线进行放电时减缓所述位线的电压下降速度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东芯半导体股份有限公司，其通讯地址为：201799 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。