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龙图腾网获悉中国计量科学研究院申请的专利一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119618772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411810046.X，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法是由李伟;黄鹭;王雪深;贾鑫;陈建设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法在说明书摘要公布了：一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法，包括以下步骤：步骤一、确定预设的缺陷参数；步骤二、根据预设的缺陷参数，生成在缺陷区域内位置坐标随机排布的凸起或凹坑构成的缺陷图形，将缺陷图形设计为标准样板结构版图，并按照标准样板结构版图制作目标掩模版；通过热氧化工艺得到目标晶圆片；步骤三、利用光刻工艺，将目标掩模板上的图形转移到目标晶圆片上；采用刻蚀工艺对目标晶圆片进行刻蚀，得到标准晶圆片。本发明提供一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法，所制备的标准晶圆片具有可控的缺陷数目和缺陷直径，该晶圆可以清洗，具有更长的寿命。缺陷的分布区域、尺寸以及数量参数均为可控生成，能够满足不同类型检测设备的需要。

本发明授权一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤； 步骤一、预设缺陷图形参数，所述缺陷图形参数包括区域参数、缺陷参数；所述区域参数包括缺陷区域数量和每个缺陷区域的分布位置；所述缺陷参数包括缺陷区域中每个缺陷的尺寸、每个缺陷区域内缺陷颗粒的数量，即所述缺陷参数包括缺陷尺寸以及缺陷数量；缺陷区域数量是指单个晶圆片上划分出的缺陷区域的数量； 步骤二、根据预设的缺陷图形参数，生成在缺陷区域内点阵位置坐标随机排布的凸起或凹坑构成的缺陷图案，将所述缺陷图案设计为标准样板结构版图，并按照所述标准样板结构版图制作出目标掩模版；采用热氧化工艺在晶圆片表面生长一层二氧化硅薄膜得到目标晶圆片，或者在碳化硅晶圆片表面采用化学气相沉积工艺生长氧化硅薄膜得到目标晶圆片； 步骤三、在目标晶圆片上利用光刻工艺进行缺陷图形的制造加工，将所述目标掩模板上的缺陷图案转移到所述目标晶圆片上；采用刻蚀工艺对所述目标晶圆片进行刻蚀，得到标准晶圆片；利用扫描电镜测量缺陷直径，测量制造的标准晶圆片缺陷尺寸和数量； 所述缺陷图案为缺陷颗粒在所述缺陷区域的点阵随机排布，每个所述缺陷区域内所有缺陷颗粒的点阵排布为缺陷阵列； 通过将每个独立的所述缺陷区域采用均匀网格划分的方式，将所述缺陷区域划分成面积大小相等的网格，在每一个网格的格点上有50%~80%的概率生成缺陷颗粒，来实现缺陷颗粒位置在缺陷区域内的随机分布，形成具有点阵排布的稀疏随机缺陷阵列。

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