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龙图腾网获悉创圆科技股份有限公司申请的专利半导体装置和恒流二极管电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311264820.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置和恒流二极管电路是由金殿魁;姜礼杰;何符汉设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置和恒流二极管电路在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置和恒流二极管电路。一种半导体装置，包括一漂移层、多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、多个第三掺杂区、一掺杂沟道层、一栅极绝缘层、一栅极接触及一源极接触。该漂移层设置在一基板上，该漂移层具有一上表面。相邻的该第一掺杂区之间限定出一接面场效应晶体管区。该第二掺杂区与该第一掺杂区沿该上表面限定出多个沟道区。该掺杂沟道层设置在邻近该上表面且在该第二掺杂区之间跨越该漂移层延伸。该栅极绝缘层设置在该上表面上。该栅极接触接触该栅极绝缘层。该源极接触接触该多个第二掺杂区及该多个第三掺杂区。

本发明授权半导体装置和恒流二极管电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一漂移层，设置在一基板上，该漂移层具有一第一导电类型及一上表面； 多个第一掺杂区，设置在与该上表面邻接的该漂移层中且彼此相隔，该第一掺杂区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型，该第一掺杂区与该漂移层形成多个第一p-n接面，相邻的该第一掺杂区之间限定出一接面场效应晶体管区，该第一掺杂区具有一介于3微米与5微米之间的范围的深度、一介于8e16cm-3与2e15cm-3之间的范围的掺杂浓度； 多个第二掺杂区，设置在该第一掺杂区中，该第二掺杂区具有该第一导电类型，该第二掺杂区与该第一掺杂区形成多个第二p-n接面，并沿该上表面在该第一p-n接面和该第二p-n接面之间限定出多个沟道区，该第二掺杂区具有一介于0.4微米与1微米之间的范围的深度、一介于2e19cm-3与2e17cm-3之间的范围的掺杂浓度； 多个第三掺杂区，设置在该第二掺杂区中，该多个第三掺杂区具有该第二导电类型； 一掺杂沟道层，设置在邻近该上表面且在该第二掺杂区之间跨越该漂移层延伸，该掺杂沟道层具有一介于75埃米与90埃米之间的范围的厚度、一介于1e17cm-3与1e16cm-3之间的范围的掺杂浓度以及一介于1微米与6微米之间的范围的宽度； 一栅极绝缘层，设置在该上表面上，该栅极绝缘层在该接面场效应晶体管区、该多个沟道区及该多个第二掺杂区的一部分上延伸； 一栅极接触，接触该栅极绝缘层；以及 一源极接触，接触该多个第二掺杂区及该多个第三掺杂区。

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