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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767722B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411961407.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种场效应晶体管的制备方法是由王旭东;郑雨晴;伍帅琴;孟祥建;沈宏;林铁;王建禄;褚君浩设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法，涉及半导体电子器件技术领域。本发明用外延生长的SrTiO3薄膜作为栅介质层，其具有低粗糙度的优势，并且利用PPC作为支撑层实现SrTiO3薄膜的转移，能够极大程度地降低制备过程中残留物的引入，使得SrTiO3薄膜表面干净平整，在沉积了作为沟道材料的二维层状半导体材料后，SrTiO3薄膜与二维材料界面得到有效优化，SrTiO3薄膜与二维材料形成准范德华接触，能够得到高质量栅介质和沟道材料界面，大幅提高器件性能。实例结果表明，本发明制备的场效应晶体管具有108的高开关比、69.2mVdec的超低亚阈值摆幅和高达230cm2V·s的场效应晶体管迁移率。

本发明授权一种场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在单晶SrTiO3衬底表面依次外延生长Sr4Al2O7牺牲层和SrTiO3薄膜层，在所述SrTiO3薄膜层表面旋涂聚碳酸丙烯酯支撑层，得到SrTiO3衬底Sr4Al2O7SrTiO3PPC复合层结构； 将所述SrTiO3衬底Sr4Al2O7SrTiO3PPC复合层结构浸入水中使Sr4Al2O7牺牲层溶解，得到SrTiO3PPC复合层结构； 将所述SrTiO3PPC复合层结构转移至带有栅金属电极的绝缘衬底上，使SrTiO3PPC复合层结构中的SrTiO3薄膜层覆盖栅金属电极，然后将聚碳酸丙烯酯支撑层刻蚀，得到绝缘衬底栅金属电极SrTiO3复合结构； 在所述绝缘衬底栅金属电极SrTiO3复合结构的SrTiO3薄膜层表面沉积二维层状半导体材料层，在所述二维层状半导体材料层的表面沉积源金属电极和漏金属电极，得到所述场效应晶体管。

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