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龙图腾网获悉成都森未科技有限公司申请的专利一种超结半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767723B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411969743.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种超结半导体结构及其制备方法是由李睿;孟繁新;马克强;胡敏;岳兰设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超结半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超结半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。上述制备方法包括以下步骤：提供一衬底结构；基于衬底结构的一侧设置耐压区，耐压区包括第一耐压区、第二耐压区。在各第二耐压区的顶部设置第三耐压区、在各第一耐压区的顶部设置第四耐压区；其中，第三耐压区与第二耐压区的导电类型相同，第一耐压区与第四耐压区的导电类型相同。基于各第一耐压区远离衬底结构的一侧设置槽型栅极结构、第二基区；基于各第二基区远离衬底结构的一侧设置第一基区；第二基区与第一基区构成凸台结构。基于各第二耐压区远离衬底结构的一侧设置截止层；截止层与凸台结构间存在预设高度差。本发明能够在不影响器件击穿电压的前提下，改善反向恢复振荡。

本发明授权一种超结半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结半导体制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底结构； 基于所述衬底结构的一侧设置耐压区；所述耐压区包括交替排布的第一耐压区、第二耐压区；其中，所述第一耐压区与所述第二耐压区的导电类型不同； 在各所述第二耐压区的顶部设置第三耐压区；其中，所述第三耐压区与所述第二耐压区的导电类型相同； 在各所述第一耐压区的顶部设置第四耐压区；其中，所述第一耐压区与所述第四耐压区的导电类型相同； 基于各所述第一耐压区远离所述衬底结构的一侧设置槽型栅极结构、第二基区；其中，所述第二基区设置在所述槽型栅极结构的两侧； 基于各所述第二基区远离所述衬底结构的一侧设置第一基区；其中，所述第二基区与所述第一基区构成凸台结构；所述凸台结构的上表面与所述槽型栅极结构的上表面齐平； 基于各所述第二耐压区远离所述衬底结构的一侧设置截止层；其中，所述截止层与所述凸台结构间存在预设高度差； 所述第三耐压区的掺杂浓度低于所述第二耐压区的掺杂浓度； 所述第四耐压区的掺杂浓度低于所述第一耐压区的掺杂浓度。

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