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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种Ag-In-Ga-S量子点背光膜的构筑方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119799313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411924102.2，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权一种Ag-In-Ga-S量子点背光膜的构筑方法是由邹友生;谷万众;董宇辉;罗羽佳;曾海波设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ag-In-Ga-S量子点背光膜的构筑方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Ag‑In‑Ga‑S量子点背光膜的构筑方法，通过取用AIGS量子点原液，进行后处理，制得AIGS量子点粉末；称量聚合物并将其加入非极性溶剂中加热搅拌溶解，制得聚合物溶液；将AIGS量子点粉末与聚合物溶液搅拌混合至均匀，将其倾倒在平板上，通过涂布机刮涂成均匀厚度的量子点初始薄膜；将其置入烘箱中，在一定温度下烘干一定时间，得到AIGS量子点背光膜。本发明利用AIGS量子点作为光致发光材料，将不同种类AIGS量子点粉末与聚合物溶液相混合，烘干制得AIGS量子点背光膜。该方法在提升了AIGS量子点背光膜荧光发光强度的同时，降低了其蓝光透过率，是下一代照明及高清显示领域应用的理想选择。

本发明授权一种Ag-In-Ga-S量子点背光膜的构筑方法在权利要求书中公布了：1.一种Ag-In-Ga-S量子点背光膜的构筑方法，特征在于，包括以下步骤： 步骤1：取Ag-In-Ga-S量子点原液，进行离心；步骤1所述Ag-In-Ga-S量子点原液为AIGS量子点原液、AIGS@GaS量子点原液或AIGS@ZnS量子点原液； 步骤2：取离心制得的上层清液，向其中加入沉淀剂，混合均匀后进行二次离心； 步骤3：将二次离心制得的沉淀分散在分散剂中，在其中加入沉淀剂，混合均匀后进行三次离心； 步骤4：将三次离心沉淀置入烘箱中，在一定温度下烘干一段时间，得到量子点粉末； 步骤5：取一定量聚合物与非极性溶剂混合加热，制得聚合物溶液；步骤5中所述聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA； 步骤6：取一定量所制得的量子点粉末与步骤5制得的聚合物溶液混合一定时间，得到均匀稳定的量子点聚合物溶液； 步骤7：将步骤6制得的量子点聚合物溶液倾倒在平板上，通过涂布机进行刮涂，得到均匀厚度的量子点初始薄膜； 步骤8：将量子点初始薄膜置于烘箱中，在一定温度下烘干一定时间，制得AIGS量子点背光膜。

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