豪威科技股份有限公司刘远良获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利减轻高K金属-绝缘体-金属电容器滞后问题的操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119854669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411097183.3，技术领域涉及：H04N25/779；该发明授权减轻高K金属-绝缘体-金属电容器滞后问题的操作方法是由刘远良;比尔·潘;毛杜立设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本减轻高K金属-绝缘体-金属电容器滞后问题的操作方法在说明书摘要公布了：本文中公开了减轻高k金属‑绝缘体‑金属MIM电容器滞后问题的操作方法。在一个实施例中，描述一种用于减少与包含在多个像素中的像素相关联的图像滞后的方法。所述像素包含光电二极管、通过转移晶体管耦合到所述光电二极管的第一浮动扩散部、通过双浮动扩散晶体管耦合到所述第一浮动扩散部的第二浮动扩散部，以及耦合在所述第二浮动扩散部与偏置电压源之间的横向溢出积分电容器。所述横向溢出积分电容器进一步通过复位晶体管耦合到像素参考电压源。所述像素的操作包括空闲周期及所述空闲周期之后的积分周期。所述方法还包含将所述横向溢出积分电容器配置为在所述空闲周期期间被零偏置或正向偏置。
本发明授权减轻高K金属-绝缘体-金属电容器滞后问题的操作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于减少与包含在多个像素中的像素相关联的图像滞后的方法，所述像素包括光电二极管、通过转移晶体管耦合到所述光电二极管的第一浮动扩散部、通过双浮动扩散晶体管耦合到所述第一浮动扩散部的第二浮动扩散部，以及耦合在所述第二浮动扩散部与偏置电压源之间的横向溢出积分电容器，且所述横向溢出积分电容器进一步通过复位晶体管耦合到像素参考电压源， 其中所述像素的操作包括空闲周期及所述空闲周期之后的积分周期， 所述方法包括： 将所述横向溢出积分电容器配置为在所述空闲周期期间被零偏置或正向偏置；及 当所述光电二极管被暴露于光时，将所述横向溢出积分电容器配置为在所述积分周期开始时被反向偏置。
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