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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利在用于电容器的布线基板中提供较低电感路径，以及相关的电子设备和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119896041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380065854.5，技术领域涉及：H05K1/02；该发明授权在用于电容器的布线基板中提供较低电感路径，以及相关的电子设备和制造方法是由B·谢;S·K·潘迪;C-K·金;R·莱恩;C·D·佩恩特设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本在用于电容器的布线基板中提供较低电感路径，以及相关的电子设备和制造方法在说明书摘要公布了：包括带有用于电容器的较低电感路径的布线基板的电子设备以及相关的制造方法。在示例性方面，为了为耦合到该布线基板中的配电网络的电容器提供较低的互连电感，在相邻金属化层中的相邻金属层之间的介电层中设置提供附加第二功率平面的附加金属层。该附加第二功率平面与设置在这些相邻金属化层中的一个金属化层的第一金属层中的第一功率平面相邻。该附加金属层在该金属化层的该介电层中的该设置减小了耦合到作为该配电网络的一部分的该电容器的该第一功率平面与该第二功率平面之间的介电材料的厚度。耦合到该电容器的该第一功率平面与该第二功率平面之间的这种减小的介电厚度减小了针对该电容器的该互连电感。

本发明授权在用于电容器的布线基板中提供较低电感路径，以及相关的电子设备和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子设备，所述电子设备包括： 布线基板，所述布线基板包括沿第一方向上彼此平行的多个金属化层，所述多个金属化层包括： 第一金属化层，所述第一金属化层包括： 第一金属层，所述第一金属层包括第一金属平面；和 第一介电层，所述第一介电层与所述第一金属层相邻； 第二金属化层，所述第二金属化层与所述第一金属化层相邻，所述第二金属化层包括： 第二金属层；和 第二介电层，所述第二介电层与所述第二金属层相邻，所述第二介电层沿与所述第一方向正交的第二方向位于所述第一金属层与所述第二金属层之间；和第二金属平面，所述第二金属平面设置在所述第二介电层中，所述第二金属平面沿所述第二方向位于所述第一金属层与所述第二金属层之间；和 电容器，所述电容器耦合到所述第一金属平面和所述第二金属平面；其中：所述第二金属平面沿所述第二方向与所述第一金属层相距第一距离设置；所述第二金属平面沿所述第二方向与所述第二金属层相距第二距离设置；并且所述第一距离小于所述第二距离。

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