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龙图腾网获悉扬州国宇电子有限公司申请的专利一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510110348.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法是由刘闯;李浩;杨梦凡;陆宇;时浩设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件技术领域内的一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该晶体管包括：基片，包括从下至上的P+硅衬底、N+外延层、N‑外延层；有源区自下而上依次设置有P阱、栅极绝缘层、多晶硅栅极、绝缘流平层和发射极电极，在P阱中设置有N阱；终端区自下而上依次设置有场限环、多晶硅场板、绝缘流平层和金属场板；截止区自下而上依次设置有截止环、多晶硅场板和绝缘流平层；其中，在N‑外延层上设置有氧化掩蔽层，设置有氧化掩蔽层设置于相邻场限环之间，及场限环和截止环之间。该绝缘栅双极型晶体管为软穿通型，抗噪声干扰能力强，功耗低，无需进行背面注入和退火，简化了生产流程降低了成本，提升了器件可靠性。

本发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括： 基片，包括从下至上的P+硅衬底、N+外延层、N-外延层；所述N-外延层掺杂浓度在1e12-1e15cm-3范围内，厚度为30μm-260μm；所述N+外延层掺杂浓度在1e14~9e17cm-3范围内，厚度为3μm~20μm；所述P+硅衬底掺杂浓度在1e16~9e19cm-3范围内，厚度为0.5μm-5μm；在P+硅衬底，硼离子掺杂浓度高于砷离子或磷离子掺杂浓度1-3个数量级；在N+外延层，砷离子掺杂浓度高于硼离子或磷离子掺杂浓度，且在相同深度条件下，砷离子掺杂浓度数量级比硼离子高1-3个数量级，在相同掺杂浓度条件下，砷离子掺杂深度比硼离子深2-5μm；在N-外延层，磷离子掺杂浓度高于硼离子或砷离子掺杂浓度1-3个数量级； 在所述N-外延层上设置有源区、终端区和截止区； 所述有源区自下而上依次设置有P阱、栅极绝缘层、多晶硅栅极、绝缘流平层和发射极电极，在所述P阱中设置有N阱，所述P阱通过绝缘流平层中的接触孔与所述发射极电极连接； 所述终端区自下而上依次设置有场限环、多晶硅场板、所述绝缘流平层和金属场板，所述场限环与所述多晶硅场板连接，所述多晶硅场板通过所述绝缘流平层中的接触孔与所述金属场板连接； 所述截止区自下而上依次设置有截止环、所述多晶硅场板和所述绝缘流平层，所述场限环与所述多晶硅场板连接； 其中，在所述N-外延层上设置有氧化掩蔽层，所述设置有氧化掩蔽层设置于相邻所述场限环之间，及所述场限环和所述截止环之间。

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