上海科技大学杨恒昭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种集成传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120101982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510250758.9，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权一种集成传感器及其制作方法是由杨恒昭;范玉宏设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成传感器及其制作方法，属于半导体技术领域，所述集成传感器至少包括：衬底；至少一个压力传感器，设置在所述衬底上；以及至少一个温度传感器，与所述压力传感器间隔设置在所述衬底上；所述温度传感器在所述衬底上的高度低于所述压力传感器在所述衬底上的高度。通过本发明提供的集成传感器及其制作方法，能够在同一衬底上集成压力传感器和温度传感器，能够同时完成温度和压力参数的测量，扩大传感器的应用范围，提高测试的准确性、可靠性和安全性。
本发明授权一种集成传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成传感器的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一衬底； 在所述衬底上形成至少一个压力传感器；以及 在所述衬底上形成至少一个温度传感器，所述温度传感器与所述压力传感器间隔设置在所述衬底上；所述温度传感器在所述衬底上的高度低于所述压力传感器在所述衬底上的高度； 所述压力传感器和所述温度传感器的制作方法包括： 在所述衬底上形成感应层； 在所述感应层上形成第一图案化光阻层； 以所述第一图案化光阻层为掩膜，刻蚀部分所述感应层至所述衬底，形成间隔的第一感应分部和第二感应分部； 去除第一图案化光阻层，在所述第一感应分部、所述第二感应分部和所述衬底上形成第二图案化光阻层，所述第二图案化光阻层暴露所述第二感应分部； 减薄所述第二感应分部；去除所述第二图案化光阻层； 在所述第一感应分部和所述第二感应分部上形成金属电极，所述金属电极分别由所述第一感应分部或所述第二感应分部的顶部的两侧分别延伸至所述衬底上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海科技大学，其通讯地址为：201204 上海市浦东新区华夏中路393号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励