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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利超椭圆曲线结构的超导线圈、超导磁体系统及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510582903.3，技术领域涉及：H01F6/06；该发明授权超椭圆曲线结构的超导线圈、超导磁体系统及其设计方法是由宋运兴;黎江蓝设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本超椭圆曲线结构的超导线圈、超导磁体系统及其设计方法在说明书摘要公布了：本申请属于超导磁体技术领域，具体公开了超椭圆曲线结构的超导线圈、超导磁体系统及其设计方法。通过本申请，采用超椭圆曲线替代传统直边段，使整个线圈均为有限曲率，能够在绕线和加固过程中有效的对导线和加固材料施加张力，线圈在绕制张力和加固材料的共同作用下，其力学结构更加稳定，强磁场环境下的抗变形能力显著增强。通过超椭圆曲线优化线圈结构，能够在保证孔径大小与磁场强度的同时，提升线圈的机械稳定性、减少应力集中现象并降低制造成本，使得超导磁体系统在提高磁场强度的同时，具备更优的机械稳定性和更低的制造成本，可广泛应用于立环式磁选机、风力发电机等领域，并为其他需要大孔径强磁场的应用场景提供新的技术支持。

本发明授权超椭圆曲线结构的超导线圈、超导磁体系统及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种超椭圆曲线结构的超导线圈，其特征在于，所述超导线圈由超导线材绕成单个闭合超椭圆曲线结构或多个超椭圆曲线段拼接结构； 所述超椭圆曲线结构通过以下方法设计得到： 对超导线圈的横截面曲线进行参数化； 对于横截面为单个闭合超椭圆曲线结构的情形，以超椭圆曲线的多个参数作为待优化量，以中心磁场产生效率最大作为目标，设定孔径约束和曲率约束条件； 对于多个超椭圆曲线段连续拼接结构的情形，以各超椭圆曲线段的多个参数和相邻超椭圆曲线段在参数空间的连接点角参数共同作为待优化量，以中心磁场产生效率最大作为目标，设定孔径约束、曲率约束、轴垂直约束和连接平滑约束条件； 求解得到满足目标和所有约束条件的超椭圆曲线参数； 其中，目标函数如下： 其中，为目标函数值，为中心磁场的离散积分，利用Biot–Savart法则对所有离散线元在原点处的轴向磁场进行数值积分得到，为线圈总导线长度，为对违反约束条件的情况进行软惩罚的惩罚函数，为权重因子，保证优化过程中对约束条件的严格控制，表示绝对值运算符； 所述孔径约束保证孔径大小满足用户需求，所述曲率约束保证导体性能与绕线张力，所述轴垂直约束保证线圈对称性，所述连接平滑约束保证相邻的超椭圆线段在连接点处坐标和斜率完全一致。

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