北京集成电路装备创新中心有限公司吴志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种腔室清洗控制方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120613288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510591883.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种腔室清洗控制方法及半导体工艺设备是由吴志刚设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种腔室清洗控制方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种腔室清洗控制方法及半导体工艺设备，该方法包括：清洗步骤，在腔室完成保养后，向腔室通入预设清洗气体对腔室进行干法清洗去除腔室内残留的聚合物和氯离子；其中，预设清洗气体包括含氧气体及含氢气体；预清洁步骤，在腔室每次开始工作之前，向腔室通入设定清洁气体对腔室进行预清洁，以去除腔室内残留的聚合物和氯离子；其中，设定清洁气体包括含氧气体及含氢气体。本发明能够保证腔室内聚合物维持在平衡态，避免因聚合物过多使光刻胶刻蚀速率持续下降，且无需开腔清洗，减小了部件损耗及机台故障率，能够有效清除腔室中残留的聚合物和氯离子，恢复了光刻胶的刻蚀速率，提升了产品良率。
本发明授权一种腔室清洗控制方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种腔室清洗控制方法，其特征在于，包括： 清洗步骤，在腔室完成保养后，向所述腔室通入预设清洗气体对腔室进行干法清洗去除腔室内残留的聚合物和氯离子；其中，所述预设清洗气体包括含氧气体及含氢气体； 预清洁步骤，在所述腔室每次开始工作之前，向所述腔室通入设定清洁气体对所述腔室进行预清洁，以去除所述腔室内残留的聚合物和氯离子；其中，所述设定清洁气体包括含氧气体及含氢气体； 所述预清洁步骤包括： 腔室上方清洁阶段，控制所述腔室处于第一设定压力，在清洗过程中控制通入的所述设定清洁气体中所述含氢气体的比例呈阶梯型降低，控制通入的所述设定清洁气体中所述含氧气体的比例呈阶梯型增大； 腔室下方清洁阶段，控制所述腔室处于第二设定压力，在清洗过程中控制通入的所述设定清洁气体中所述含氧气体的比例呈阶梯型增大；其中，所述第二设定压力小于所述第一设定压力。
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