青岛佳恩半导体科技有限公司王丕龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉青岛佳恩半导体科技有限公司申请的专利一种改进型的IGBT模块结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120709250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510618045.3，技术领域涉及：H10W70/69；该发明授权一种改进型的IGBT模块结构及封装方法是由王丕龙;王新强;杨玉珍设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改进型的IGBT模块结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种改进型的IGBT模块结构及封装方法，属于技术领域，包括DBC基板，DBC基板的上表面设置有IGBT芯片，IGBT芯片为倒装设置，IGBT芯片的背面通过激光剥离和机械抛光的方式进行减薄，IGBT芯片与DBC基板之间设置有微柱阵列，IGBT芯片的背面设置有铜柱凸点，铜柱凸点的上表面设置有灌封层，DBC基板的底部设置有相变散热层，解决了传统IGBT模块散热性能和电气性能不佳，互连可靠性较差的问题。
本发明授权一种改进型的IGBT模块结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种改进型的IGBT模块结构，其特征在于，包括DBC基板10，所述DBC基板10为三层结构，由上至下依次包括氧化铝陶瓷101、波纹形铜层102和液冷铜基板103，各层之间通过真空钎焊连接，所述液冷铜基板103的表面刻蚀有微通道，所述DBC基板10的表面设置梯度介电常数层，所述DBC基板10的上表面设置有IGBT芯片20，所述IGBT芯片20为倒装设置，所述IGBT芯片20的背面通过激光剥离和机械抛光的方式进行减薄，所述IGBT芯片20与所述DBC基板10之间设置有微柱阵列30，所述IGBT芯片20的背面设置有铜柱凸点50，所述铜柱凸点50的顶部表面刻蚀蜂窝状沟槽，在沟槽内填充液态金属形成横向均流层，所述铜柱凸点50通过电镀的方式设置在所述IGBT芯片20的表面，采用超声波辅助热压进行键合，并填充低介电常数介质，所述铜柱凸点50的上表面设置有灌封层40，所述DBC基板10的底部设置有相变散热层60。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛佳恩半导体科技有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市高新区宝源路780号41号楼103、104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励