北京集成电路装备创新中心有限公司高明校获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利叠层结构、半导体器件及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510885711.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权叠层结构、半导体器件及其制备工艺是由高明校;平延磊;史小平设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本叠层结构、半导体器件及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种叠层结构、半导体器件及其制备工艺，涉及半导体技术领域。该叠层结构包括自下而上交替堆叠的支撑层和牺牲层，支撑层中，位于底部的一者为底支撑层、其余为上支撑层；叠层结构所在区域包括第一区域和第二区域，第一区域中上支撑层的总层厚大于第二区域中上支撑层的总层厚。该叠层结构应用于半导体器件中，叠层结构的第二区域中支撑层的厚度减薄处理，能够提高第二区域刻蚀通孔的整体刻蚀速率，平衡叠层结构的第一区域形成图形密度小于第二区域的通孔而引起的深度负载效应，在减小对基底刻蚀损伤的基础上，确保第一区域和第二区域的通孔的贯通性，进而降低半导体器件的报废率，提高其成品良率。
本发明授权叠层结构、半导体器件及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种叠层结构，其特征在于，包括自下而上交替堆叠的支撑层和牺牲层，且相同刻蚀工艺条件下，对所述支撑层的刻蚀速率小于对所述牺牲层的刻蚀速率；所述支撑层中，位于底部的一者为底支撑层210、其余为上支撑层，所述底支撑层210为厚度一致、未图形化的膜层； 所述叠层结构10所在区域包括厚度均匀一致的第一区域A和第二区域B，所述第一区域A中所述上支撑层的总层厚大于所述第二区域B中所述上支撑层的总层厚，且所述第一区域A和所述第二区域B应用于半导体器件时，所述第一区域A中通孔920的图形密度小于所述第二区域B的中通孔920的图形密度。
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