北京集成电路装备创新中心有限公司王印典获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120769522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510764180.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体工艺方法是由王印典;刘海鹰;朱海云设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体工艺方法，涉及半导体制造工艺技术领域，以解决提高对沟槽内鳍部的刻蚀深度和维持沟槽侧壁的保护层之间存在矛盾的问题。半导体工艺方法包括：提供具有沟槽的膜层结构；第一刻蚀步，在第一工艺气体氛围中刻蚀鳍部的顶面所覆盖的第一SiN层；第二刻蚀步，在第二工艺气体氛围中刻蚀鳍部的顶面，以使鳍部的第一Si层暴露；第三刻蚀步，在第三工艺气体氛围中刻蚀第一Si层，以使第一Si层上端面低于第一绝缘层的顶面，且鳍部两侧的第二SiN层高于第一绝缘层顶面所覆盖的第三SiN层。其可以缓解提高对沟槽内鳍部的刻蚀深度和维持沟槽侧壁的保护层之间存在矛盾的技术问题。
本发明授权半导体工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括： 提供膜层结构，所述膜层结构包括沟槽10，所述沟槽10内具有鳍部20和位于所述鳍部20两侧的第一绝缘层40，所述鳍部20高于所述第一绝缘层40，所述鳍部20的顶面、侧面和所述第一绝缘层40的顶面均覆盖有SiN层； 第一刻蚀步，在第一工艺气体氛围中刻蚀所述鳍部20的顶面所覆盖的第一SiN层21； 第二刻蚀步，在第二工艺气体氛围中刻蚀所述鳍部20的顶面，以使所述鳍部20的第一Si层22暴露； 第三刻蚀步，在第三工艺气体氛围中刻蚀所述鳍部20的第一Si层22，以使所述鳍部20的第一Si层22上端面低于所述第一绝缘层40的顶面，且所述鳍部20两侧的第二SiN层23高于所述第一绝缘层40的顶面所覆盖的第三SiN层41； 其中，第三工艺气体对Si和SiN的刻蚀选择比大于所述第二工艺气体对Si和SiN的刻蚀选择比大于第一工艺气体对Si和SiN的刻蚀选择比。
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