上海深明奥思半导体科技有限公司朱志龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海深明奥思半导体科技有限公司申请的专利一种2T2FC铁电存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120895070B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511066282.X，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权一种2T2FC铁电存储单元及其制备方法是由朱志龙设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种2T2FC铁电存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种2T2FC铁电存储单元及其制备方法，其中，所述2T2FC铁电存储单元包括：存储晶体管；控制晶体管，其源极连接至所述存储晶体管漏极；第一铁电电容器，其一端连接第一板线，另一端耦合至所述存储晶体管栅极；第二铁电电容器，其一端连接第二板线，另一端耦合至所述存储晶体管栅极；字线，连接至所述存储晶体管栅极；位线，连接至所述控制晶体管漏极；源线，连接至所述存储晶体管源极；控制线，连接至所述控制晶体管栅极；所述控制晶体管配置为选择性启用或禁用对所述存储晶体管的访问。本申请通过采用一个存储晶体管和一个控制晶体管，实现存储路径与控制路径分离，提高了数据读写的可靠性，同时减少了漏电流并增大内存。
本发明授权一种2T2FC铁电存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种2T2FC铁电存储单元，其特征在于，包括： 存储晶体管； 控制晶体管，其源极连接至所述存储晶体管漏极； 第一铁电电容器，其一端连接第一板线，另一端耦合至所述存储晶体管栅极； 第二铁电电容器，其一端连接第二板线，另一端耦合至所述存储晶体管栅极； 字线，连接至所述存储晶体管栅极； 位线，连接至所述控制晶体管漏极； 源线，连接至所述存储晶体管源极； 控制线，连接至所述控制晶体管栅极； 所述控制晶体管配置为选择性启用或禁用对所述存储晶体管的访问； 通过向所述第一铁电电容器和所述第二铁电电容器施加极性相反的电压，调制铁电电容器的极化状态，以切换编码逻辑状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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