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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种低温键合方法及键合晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511432127.5，技术领域涉及：H10N30/072；该发明授权一种低温键合方法及键合晶圆是由杨朋辉;薛成龙;国洪晨;李昕;朱霄;王奇;华千慧设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温键合方法及键合晶圆在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低温键合方法及键合晶圆，属于晶圆键合技术领域。该方法包括下述步骤：1对衬底晶圆和或压电晶圆的非键合面进行等离子体增强化学气相沉积形成SiO2层；2对压电晶圆和衬底晶圆进行等离子体活化处理；3将活化后的压电晶圆和衬底晶圆进行清洗并吹干，清洗并吹干后的衬底晶圆表面形成至少1.5nm厚度的氧化层；4将步骤3得到的压电晶圆和衬底晶圆贴合，在0.9×105‑1.2×105Pa和50%‑70%湿度下进行预键合；4将预键合晶圆进行退火处理，得到键合晶圆。该方法能够有效提高键合强度，并避免产生空洞等缺陷，提高键合晶圆的性能稳定性。

本发明授权一种低温键合方法及键合晶圆在权利要求书中公布了：1.一种低温键合方法，其特征在于，包括下述步骤： 1对压电晶圆和或衬底晶圆的非键合面进行等离子体增强化学气相沉积，形成厚度为200-600nm的SiO2层； 等离子体增强化学气相沉积的温度为180-300℃，射频功率为70-200W，真空度为100-200Pa，升温和降温的速率为3-5℃min，硅烷：氮气：笑气的比例为36：300：700，单位为sccm，时间为3-10min； 2对压电晶圆和衬底晶圆的键合面进行等离子体活化处理，所述压电晶圆选自坦酸锂或铌酸锂，所述衬底晶圆选自硅、碳化硅、蓝宝石中的至少一种； 3将活化后的压电晶圆和衬底晶圆进行清洗并吹干，清洗并吹干后的衬底晶圆表面形成至少1.5nm厚的第一氧化层； 4将第一氧化层和压电晶圆贴合，在0.8×105-1.2×105pa和50%-70%湿度下进行预键合； 5将预键合晶圆进行退火处理，得到键合晶圆； 退火处理的具体操作为： 从室温以0.5-5℃min的升温速率升温至预设退火温度110-150℃保温10-30h，之后从预设退火温度以0.1-5℃min的降温速率降至室温；升温过程中设置2-5个保温点，每个点保温1-10h，每个保温点间隔温度梯度为10-40℃； 步骤3得到的压电晶圆表面以及衬底晶圆表面的平均接触角为θ，则键合强度 其中σ为键合强度，单位为MPa； θ为接触角，单位为°； σ max为理论最大键合强度，单位为MPa； k为衰减系数，取值范围为0.05-0.5。

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