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龙图腾网获悉四川大学申请的专利铁锡共掺杂非晶氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120943610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511479214.6，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权铁锡共掺杂非晶氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜是由向钢;龚丹;张析;聂娅设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本铁锡共掺杂非晶氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜在说明书摘要公布了：本申请提出了一种铁锡共掺杂非晶氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜，属于磁性半导体陶瓷材料技术领域。本发明通过将Ga、Fe和Sn有机前驱溶液按一定的比例充分混合形成GaFeSn有机前驱溶液；将GaFeSn有机前驱溶液旋涂到清洗后的单晶氧化铝基底上；再将所得GaFeSn有机前驱体薄膜放入单温区管式炉；在空气气氛下，将管式炉温度以5℃min的缓慢速率升至550℃，在550℃下保温1h进行退火处理，制备出厚度均匀的非晶相的具有强铁磁性的非晶GaFeSnO磁性陶瓷薄膜。本发明以较低的铁元素掺杂浓度10%激发出薄膜的强铁磁性，解决了磁性陶瓷薄膜中因过渡金属掺杂导致的低导电性问题。本发明所制备的非晶GaFeSnO磁性陶瓷薄膜具有在2K下170emucm3和300K下90emucm3的强铁磁性以及高达335K的居里温度。

本发明授权铁锡共掺杂非晶氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜在权利要求书中公布了：1.一种铁锡共掺杂非晶氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜，其特征在于，所述的铁锡共掺杂非晶氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜的制备方法，包括如下步骤： S1：制备GaFeSn有机前驱溶液：在100份质量的Ga有机前驱溶液中加入10份质量的Fe有机前驱溶液和7~30份质量的Sn有机前驱体溶液，充分搅拌得到GaFeSn有机前驱溶液；所述Sn有机前驱溶液的制备方法包括：在40ml的去离子水中，加入2~15份质量的聚乙烯亚胺，用磁力搅拌器充分搅拌至澄清以得到聚合物溶液，然后在所述聚合物溶液中逐滴加入1~10份质量的可溶性锡盐充分搅拌均匀后，通过超滤得到分子量大于10000gmol的Sn有机前驱溶液； S2：清洗衬底表面：以单晶氧化铝作为衬底，将其分别在丙酮、酒精和去离子水中用超声波清洗5~15min，最后用氮气枪吹干； S3：旋涂：将步骤S1所得的GaFeSn有机前驱溶液旋涂到步骤S2所述的衬底上得到GaFeSn有机前驱体薄膜； S4：生长及热处理：将步骤S3所得的GaFeSn有机前驱体薄膜放入单温区管式炉中；在空气气氛下，将GaFeSn有机前驱体薄膜以5℃min的速率升温至550℃，在550℃下对薄膜进行热处理，保温1h进行退火，最后冷却至室温，制备得到GaFeSnO磁性陶瓷薄膜，所述GaFeSnO磁性陶瓷薄膜为非晶相，所述GaFeSnO磁性陶瓷薄膜兼具室温铁磁性和导电性，且所述GaFeSnO磁性陶瓷薄膜的饱和磁化强度和导电性均随着Sn浓度的增加而增强。

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