长春理工大学魏志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种可片上集成的中红外高速率波导型调制器及设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120949467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511476194.7，技术领域涉及：G02F1/017；该发明授权一种可片上集成的中红外高速率波导型调制器及设计方法是由魏志鹏;栗博;唐吉龙;刘俊岐;李炳辉设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可片上集成的中红外高速率波导型调制器及设计方法在说明书摘要公布了：针对现有中红外调制器无法兼顾高速率、低损耗与片上集成兼容性的问题，本发明提出一种可片上集成的中红外高速率波导型调制器及设计方法，属于半导体光电子器件技术领域。调制器包括InP衬底、生长在InP衬底之上的外延结构以及制备在所述外延结构之上的行波电极结构；外延结构从下至上依次包括InP接触层、InAlAs下光限制层、InPInGaAs下波导层、非对称多量子阱结构、InPInGaAs上波导层、InAlAs上光限制层以及Cap层。设计方法包括选用相兼容的材料体系，设计非对称多量子阱结构，将外延结构加工成脊波导结构、设计行波电极以及器件表征测试。本发明适用于中红外波段高速光调制器件的设计与制备。
本发明授权一种可片上集成的中红外高速率波导型调制器及设计方法在权利要求书中公布了：1.一种可片上集成的中红外高速率波导型调制器，其特征在于，所述调制器包括InP衬底、生长在InP衬底之上的外延结构以及制备在所述外延结构之上的行波电极结构； 所述外延结构从下至上依次包括InP接触层、InAlAs下光限制层、InPInGaAs下波导层、非对称多量子阱结构、InPInGaAs上波导层、InAlAs上光限制层以及Cap层； 非对称多量子阱结构从下至上依次包括：InAlAs、InGaAs、InAlAs、InGaAs、InAlAs、InGaAs、InAlAs、InGaAs。
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