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龙图腾网获悉南京航空航天大学;南京航空航天大学苏州研究院申请的专利一种二维阵列型套刻误差光学测量标记设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120993689B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511508917.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种二维阵列型套刻误差光学测量标记设计方法及系统是由孟凯;卢嘉豪;张航瑛;楼佩煌;钱晓明;武星设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维阵列型套刻误差光学测量标记设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种二维阵列型套刻误差光学测量标记设计方法及系统，涉及集成电路工艺量测技术领域。所述方法包括：设计二维阵列型套刻误差光学测量标记，并构建套刻误差的表征方法；基于所述表征方法构建多目标优化模型；利用多目标多元宇宙优化算法对所述多目标优化模型进行求解，得到最优标记结构；所述多目标多元宇宙优化算法为在原始多目标多元宇宙算法中引入拉丁超立方初始化方法、基于NMPSO算法的适应度评估机制和外部存档大小动态调整策略。本发明能够通过二维阵列型套刻标记同步测量两个方向上的套刻误差，并且基于结构优化设计提高了标记的测量性能。

本发明授权一种二维阵列型套刻误差光学测量标记设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种二维阵列型套刻误差光学测量标记设计方法，其特征在于，包括： 设计二维阵列型套刻误差光学测量标记；所述二维阵列型套刻误差光学测量标记包括从上到下依次设置的用光刻胶刻蚀的光栅、二氧化硅薄膜、光刻胶填充层、硅光栅以及硅基底； 基于所述二维阵列型套刻误差光学测量标记构建套刻误差的表征方法；所述套刻误差的表征方法具体包括： 根据下述两式分别计算横向套刻误差与纵向套刻误差： ； 其中：，，，； 式中，和表示比例因子，表示标记1的横向衍射差异，表示标记2的横向衍射差异，表示标记1的1,0阶反射光光强，表示标记1的-1,0阶反射光光强，表示标记2的1,0阶反射光光强，表示标记2的-1,0阶反射光光强；表示标记1的纵向衍射差异，表示标记2的纵向衍射差异，表示标记1的0,1阶反射光光强，表示标记1的0,-1阶反射光光强，表示标记2的0,1阶反射光光强，表示标记2的0,-1阶反射光光强； 基于所述表征方法构建多目标优化模型；所述多目标优化模型包括以横向测量灵敏度最大为目标的第一目标函数、以横向测量线性误差最小为目标的第二目标函数、以纵向测量灵敏度最大为目标的第三目标函数和以纵向测量线性误差最小为目标的第四目标函数； 利用多目标多元宇宙优化算法对所述多目标优化模型进行求解，得到最优标记结构；所述多目标多元宇宙优化算法为在原始多目标多元宇宙算法中引入拉丁超立方初始化方法、基于NMPSO算法的适应度评估机制和外部存档大小动态调整策略。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京航空航天大学;南京航空航天大学苏州研究院，其通讯地址为：210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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