买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利去除效率匹配的量子点纳米层及其原位生长方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121006118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511524643.0，技术领域涉及：C09D133/12；该发明授权去除效率匹配的量子点纳米层及其原位生长方法和应用是由郝群;陈梦璐;胡摇;石峰;陈飞;谭勇;赵雪;李文昊设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本去除效率匹配的量子点纳米层及其原位生长方法和应用在说明书摘要公布了：一种去除效率匹配的量子点纳米层及其原位生长方法和应用，涉及半导体晶圆抛光技术领域，解决了现有技术传统抛光工艺存在去除效率低、损伤程度高以及成本高的问题。将聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、氢化苯乙烯‑丁二烯嵌段共聚物粉末加入二甲基甲酰胺中进行搅拌，得到聚合物DMF溶液；将纳米晶体前驱体溶液加入聚合物DMF溶液中混合，加热并搅拌过夜；将混合溶液旋涂到半导体晶圆上，得到湿膜，退火，完成去除效率匹配的量子点纳米层的原位生长。本发明通过调控量子点的组分构成及结构参数，实现了与目标半导体晶圆去除效率的高度匹配，有效降低了表面粗糙度以及加工成本，可应用于半导体材料的抛光工艺领域。

本发明授权去除效率匹配的量子点纳米层及其原位生长方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种去除效率匹配的量子点纳米层的应用，其特征在于，应用于半导体材料的抛光工艺领域； 所述量子点纳米层为C4H12NMnCl3@PVA或BTP2MnBr4@SEBS或PEA2PbBr4:Mn@PMMA或Cs3Cu2I5@PVA或FAPbI3PVA；所述量子点纳米层与半导体晶圆去除效率匹配； 所述量子点纳米层由以下原位生长方法原位生长得到： 将聚合物基质加入二甲基甲酰胺中进行搅拌，得到聚合物二甲基甲酰胺溶液；将纳米晶体前驱体溶液加入聚合物二甲基甲酰胺溶液中混合，加热并搅拌过夜；将混合溶液预热滴加到半导体晶圆上，旋涂，得到湿膜，退火，完成去除效率匹配的量子点纳米层的原位生长； 所述聚合物基质为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物中的任一种； 所述半导体晶圆为碳化硅、金刚石、氧化镓、氧化铝中的一种； 所述纳米晶体前驱体溶液为FAPbI3二甲基甲酰胺溶液、C4H12NMnCl3二甲基甲酰胺溶液、BTP2MnBr4二甲基甲酰胺溶液、PEA2PbBr4：Mn二甲基甲酰胺溶液、Cs3Cu2I5二甲基甲酰胺溶液中的任一种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长春理工大学，其通讯地址为：130022 吉林省长春市卫星路7089号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。