长春理工大学;山东华光光电子股份有限公司;中国市政工程华北设计研究总院有限公司魏志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学;山东华光光电子股份有限公司;中国市政工程华北设计研究总院有限公司申请的专利一种锑化物多波长激光器材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121011921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511536501.6，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种锑化物多波长激光器材料及其制备方法与应用是由魏志鹏;贾慧民;唐吉龙;吴德华;杜军军;张树宏;高文学设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锑化物多波长激光器材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：一种锑化物多波长激光器材料及其制备方法与应用，涉及半导体激光器技术领域，解决了现有锑化物基半导体激光器材料难以通过单次外延生长实现多波长激光发射，且现有多波长激光器材料存在外延工艺复杂、层间界面质量受限、组分调控精度不足的问题。本发明提供的锑化物多波长激光器材料从下至上依次为衬底、单层石墨烯、缓冲层、下限制层、下波导层、介质层、量子阱结构、上波导层、上限制层、盖层；其中，量子阱结构包括Inx3Ga1‑x3Asy3Sb1‑y3和Alx4Ga1‑x4Asy4Sb1‑y4。激光器材料可应用于中红外半导体激光器的制备，通过单次外延以及调控光刻图形实现选择性外延生长、多通道光谱获取和宽带覆盖。
本发明授权一种锑化物多波长激光器材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种锑化物多波长激光器材料，其特征在于，从下至上依次为GaSb衬底、单层石墨烯、GaSb缓冲层、N型掺杂Alx2Ga1-x2Asy2Sb1-y2下限制层、非掺杂Alx1Ga1-x1Asy1Sb1-y1下波导层、介质层，在介质层上形成具有预定图形的外延窗口区域，然后从下至上依次外延生长量子阱结构、非掺杂Alx1Ga1-x1Asy1Sb1-y1上波导层、P型掺杂Alx2Ga1-x2Asy2Sb1-y2上限制层、P型重掺杂GaSb盖层； 所述量子阱结构为单量子阱或阱层和垒层交替设置的多量子阱；所述阱层为Inx3Ga1-x3Asy3Sb1-y3；所述垒层为Alx4Ga1-x4Asy4Sb1-y4 所述预定图形为长条形，所述长条形结构的宽度在2μm~10μm的范围内选取，并由至少两种不同宽度的长条交替周期排列而成。
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