合肥晶合集成电路股份有限公司胡一凡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511535920.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法是由胡一凡设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法，先执行第一曝光工艺和第一刻蚀工艺以形成沟槽的底部栅氧，接着形成单晶硅层，再执行第二曝光工艺和第二刻蚀工艺以形成沟槽，沟槽暴露出底部栅氧的顶表面，然后形成沟槽栅，沟槽栅位于沟槽内且位于底部栅氧上，其中，第一曝光工艺和第二曝光工艺采用同一掩膜版，且第二光刻胶层与第一光刻胶层的极性相反。本发明意想不到的效果是，能够更方便地实现对沟槽的底部栅氧厚度的控制，以及先形成沟槽的底部栅氧再形成单晶硅层和沟槽，避免了形成沟槽后高密度等离子体工艺导致底部栅氧易提前封口的问题，可以简化工艺难度，同时为小关键尺寸的MOS器件提供了厚底部栅氧的可能，有助于提高器件密度。
本发明授权具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种具有沟槽栅的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有第一氧化层； 在所述第一氧化层上形成第一光刻胶层，并执行第一曝光工艺和第一显影工艺以得到图形化的第一光刻胶层； 执行第一刻蚀工艺，以图形化的第一光刻胶层为掩膜刻蚀部分区域的第一氧化层，剩余的第一氧化层作为沟槽的底部栅氧； 形成单晶硅层，所述单晶硅层覆盖所述衬底和所述底部栅氧； 在所述单晶硅层上形成第二光刻胶层，并执行第二曝光工艺和第二显影工艺以得到图形化的第二光刻胶层； 执行第二刻蚀工艺，以图形化的第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述单晶硅层，以形成沟槽，所述沟槽暴露出所述底部栅氧的顶表面； 形成沟槽栅，所述沟槽栅位于所述沟槽内且覆盖所述底部栅氧； 其中，所述第一曝光工艺和所述第二曝光工艺采用同一掩膜版，且所述第二光刻胶层与所述第一光刻胶层的极性相反。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励