长春理工大学;山东华光光电子股份有限公司魏志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学;山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511555605.1，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法是由魏志鹏;贾慧民;唐吉龙;吴德华;杜军军;张树宏设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法在说明书摘要公布了：一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法，涉及半导体激光器工艺技术领域，解决了现有技术中刻蚀含In化合物半导体激光器材料时挥发性InClx沉积导致刻蚀速率下降、腔体污染，以及高温辅助刻蚀引起掩膜损耗、形貌劣化和工艺不稳定的问题。本发明通过设置刻蚀脉冲与冲洗脉冲交替进行的周期程序，在刻蚀阶段引入H2抑制难挥发InCl3产物生成，同时使InCl3产物转化为InCl2，有效抑制副产物生成提升刻蚀效率；在物理冲洗阶段利用Ar有效去除刻蚀材料表面附着的难挥发InClx产物，使半导体基底暴露促进化学脉冲进行化学反应对基底刻蚀，有效防止腔体污染和刻蚀均匀性下降，显著提升了刻蚀形貌的可控性和重复性。
本发明授权一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下制备步骤： S1：设置刻蚀脉冲参数，设置刻蚀气体为BCl3、Cl2、H2和Ar，设置H2的流量为1sccm~5sccm，设置Ar的流量为1sccm~10sccm；设置冲洗脉冲参数； S2：开始刻蚀，设置刻蚀脉冲和清洗脉冲交替进行的周期时序，直至刻蚀深度达到目标刻蚀深度； S3：采用腐蚀溶液对含铟三五族化合物半导体材料进行浸泡酸洗，得到刻蚀的含铟三五族化合物半导体材料。
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