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龙图腾网获悉长春理工大学;中国市政工程华北设计研究总院有限公司申请的专利一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511524644.5，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器是由魏志鹏;唐吉龙;贾慧民;高文学设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器在说明书摘要公布了：一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器。涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器。本发明在光场扩展区刻蚀形成抛物线形波导结构并引入金属反射镜实现新型光场扩展与金属反射镜集成的结构，通过波导末端的扩展结构降低激光模式的横向发散角。所述激光器包括：激光增益区、光场扩展区和光场扩展区尾部的光谱净化区；激光增益区、光场扩展区和光场扩展区尾部的光谱净化区纵向为相同的激光器外延材料，沿水平出光方向激光增益区与光场扩展区相邻，沿水平出光方向光场扩展区与光场扩展区尾部的光谱净化区相邻；所述纵向为衬底贯穿至接触层的方向。

本发明授权一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括：激光增益区1、光场扩展区2和光场扩展区尾部的光谱净化区3； 激光增益区1、光场扩展区2和光场扩展区尾部的光谱净化区3纵向为相同的激光器外延材料，沿水平出光方向激光增益区1与光场扩展区2相邻，沿水平出光方向光场扩展区2与光场扩展区尾部的光谱净化区3相邻； 激光增益区1包括：衬底11、缓冲层12、下限制层13、下波导层14、量子阱有源区15、上波导层16、上限制层17和接触层18； 光场扩展区2包括：光场扩展区衬底21、光场扩展区缓冲层22、光场扩展区下限制层23、光场扩展区波导层24、光场扩展区上限制层25和金属薄膜层26； 在光场扩展区2刻蚀形成抛物线形波导结构； 金属薄膜层26的材料为Al薄膜或Au薄膜或Ag薄膜，金属薄膜层26构成光场扩展区2的金属反射镜； 光场扩展区尾部的光谱净化区3包括：光谱净化区衬底31、光谱净化区缓冲层32、光谱净化区下限制层33、光谱净化区波导层34、光谱净化区上限制层35和吸波晶体薄膜层36； 吸波晶体薄膜层36的材料为金刚石薄膜，光场扩展区尾部的光谱净化区3利用金刚石薄膜形成拉曼效应的吸波晶体材料构建光学腔体； 所述纵向为衬底11贯穿至接触层18的方向。

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