长春理工大学;汉威科技集团股份有限公司魏志鹏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长春理工大学;汉威科技集团股份有限公司申请的专利一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511524646.4，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器是由魏志鹏;唐吉龙;贾慧民;杨承霖;陈海永设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器在说明书摘要公布了：一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器。涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器技术领域。本发明采用1nm~2nm的薄势垒隔开不同的两个量子阱，得到隧穿耦合非对称量子阱结构，再通过电子跃迁，实现双波长输出。所述激光器包括：激光增益区和复合DBR光栅区；激光增益区包括：衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、隧穿耦合非对称量子阱有源区、上波导层、上限制层以及接触层；隧穿耦合非对称量子阱有源区包括：第一势阱层、势垒层和第二势阱层；复合DBR光栅区包括：脊波导上周期为T1的DBR光栅和脊波导两侧周期为T2的侧向DBR光栅。
本发明授权一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器在权利要求书中公布了：1.一种2μm波段锑化物半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括：激光增益区1和复合DBR光栅区2； 激光增益区1和复合DBR光栅区2纵向为相同的激光器外延材料，沿水平出光方向激光增益区1与复合DBR光栅区2相邻； 激光增益区1包括：衬底11、缓冲层12、下限制层13、下波导层14、隧穿耦合非对称量子阱有源区15、上波导层16、上限制层17以及接触层18； 隧穿耦合非对称量子阱有源区15包括：个周期的隧穿耦合非对称量子阱结构； 隧穿耦合非对称量子阱结构包括：第一势阱层151、势垒层152和第二势阱层153； 复合DBR光栅区2包括：脊波导上周期为T1的DBR光栅21和脊波导两侧周期为T2的侧向DBR光栅22； 所述纵向为衬底11贯穿至接触层18的方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长春理工大学;汉威科技集团股份有限公司，其通讯地址为：130022 吉林省长春市卫星路7089号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励