北京集成电路装备创新中心有限公司李海岩获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利金属网格的边框制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511006377.2，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权金属网格的边框制备方法及半导体器件是由李海岩;沈涛;刘金平设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属网格的边框制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了金属网格的边框制备方法及半导体器件；其中，在金属网格的边框制备方法中，在钨刻蚀工艺阶段中，利用第二工艺气体对金属钨层进行刻蚀，直至形成目标钨结构；同时将掩膜层刻蚀至目标形貌；不仅实现了钨侧壁较直的形貌，避免了钨顶部与掩膜层发生侧吃，还通过掩膜层的目标形貌便于后续沉积；在底部金属阻挡层刻蚀工艺阶段，利用第三工艺气体，对底部金属阻挡层进行刻蚀，直至形成的金属阻挡侧壁与钨侧壁具有连贯性；从而实现了钨侧壁与上下膜层之间的连贯性，保证了金属网格的边框从上至下连贯的形貌，进而提升了半导体器件的性能。
本发明授权金属网格的边框制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种金属网格的边框制备方法，应用于半导体器件，所述半导体器件包括依次层叠的衬底、底部金属阻挡层、金属钨层、掩膜层和顶部金属阻挡层；其特征在于，所述方法包括： 打开工艺阶段：利用第一工艺气体，刻蚀掉部分顶部金属阻挡层； 钨刻蚀工艺阶段：利用第二工艺气体，对所述金属钨层进行刻蚀，直至形成目标钨结构；同时刻蚀掉剩余部分顶部金属阻挡层，并将所述掩膜层刻蚀至目标形貌；其中，所述目标形貌为顶部圆弧状，所述目标钨结构为钨侧壁的角度大于预设角度，所述角度为所述钨侧壁与所述衬底的水平面之间的夹角； 底部金属阻挡层刻蚀工艺阶段：利用第三工艺气体，对所述底部金属阻挡层进行刻蚀，直至形成的金属阻挡侧壁与所述钨侧壁具有连贯性； 清理工艺阶段：利用第四工艺气体，对所述金属阻挡侧壁和所述钨侧壁进行清理，得到清理后的所述金属网格的边框。
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