长春理工大学;汉威科技集团股份有限公司魏志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学;汉威科技集团股份有限公司申请的专利一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121055152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511596895.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法是由魏志鹏;贾慧民;唐吉龙;杨承霖;陈海永设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域，解决了现有技术存在只能输出单一波长，导致系统体积、成本、功耗增加，并且多区外延或者多个量子阱结构的设计，会导致工艺复杂度高，无法维持工作温度的稳定性和可靠性的技术问题。通过在垂直腔面发射半导体激光器结构中引入缺陷非均匀分布的缺陷层，使局部区域形成位错或空位富集区，产生非均匀分布的点缺陷，在激光器材料外延生长过程中缺陷传导到有源区从而导致在不同区域有源区材料应变不同，进而造成在不同区域有源区材料带隙不同。本发明用于实现半导体激光器的多波长输出，大幅简化外延生长工艺。
本发明授权一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多波长垂直腔面发射半导体激光器，所述激光器包括依次排布的n型衬底1、n型掺杂下DBR2、n型掺杂电流传输层3、量子阱有源区4、p型重掺杂和n型重掺杂隧道结接触层5和n型掺杂上DBR6，其特征在于： 在n型掺杂电流传输层3制造非均匀分布缺陷，将非均匀分布缺陷传导至量子阱有源区4，使量子阱有源区4中不同区域的材料应变不同； 所述非均匀分布缺陷使n型掺杂电流传输层的不同局部区域分别形成位错富集区或空位富集区。
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