买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江苏英联复合集流体有限公司申请的专利复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121065651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511598871.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池是由翁子航;李国军;居泽星;武俊伟;步绍宁;翁伟嘉设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池在说明书摘要公布了：本申请涉及二次电池技术领域，具体涉及复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池。本申请的复合集流体的制备方法，包括以下步骤：取聚合物基膜，采用第一导电材料进行第一处理，于聚合物基膜的至少一侧表面制备第一导电种子层；以第一导电种子层远离聚合物基膜的一侧表面为开孔面，对第一导电种子层和聚合物基膜进行开孔处理，使第一导电种子层和聚合物基膜具有微孔阵列结构；采用第二导电材料进行第二处理，对微孔阵列结构中的微孔孔口进行封堵，制备第二导电种子层；于第二导电种子层背离所述聚合物基膜的表面制备金属层；其中，第一处理为化学镀法或气相沉积法，第二处理为气相沉积法中的磁控溅射工艺，金属层为铜层或者铝层。

本发明授权复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池在权利要求书中公布了：1.一种复合集流体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 取聚合物基膜，采用第一导电材料进行第一处理，于所述聚合物基膜的至少一侧表面制备第一导电种子层； 以所述第一导电种子层远离所述聚合物基膜的一侧表面为开孔面，对所述第一导电种子层和所述聚合物基膜进行开孔处理，使所述第一导电种子层和所述聚合物基膜具有微孔阵列结构；开孔处理后所述微孔阵列结构贯穿所述第一导电种子层和所述聚合物基膜；所述微孔阵列结构的微孔周围存在开孔处理后的凸起； 采用第二导电材料进行第二处理，对所述微孔阵列结构中的微孔孔口进行封堵，且所述微孔阵列结构具有空腔，于所述第一导电种子层背离所述聚合物基膜的一侧表面制备第二导电种子层； 于所述第二导电种子层背离所述聚合物基膜的表面制备金属层； 其中，所述第一处理为化学镀法或气相沉积法，所述第二处理为气相沉积法中的磁控溅射工艺，所述第二处理为第二磁控溅射处理，所述第二磁控溅射处理的溅射功率为2kW~15kW；所述金属层为铜层或者铝层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏英联复合集流体有限公司，其通讯地址为：225600 江苏省扬州市高邮市高邮经济开发区(马棚街道)波司登大道29-1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。