季华实验室郭奇勋获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利自旋轨道矩有效场的测量方法、装置、设备、介质及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121069283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511614244.3，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权自旋轨道矩有效场的测量方法、装置、设备、介质及程序产品是由郭奇勋;胡凯龙;黄意雅;滕蛟;徐秀兰设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋轨道矩有效场的测量方法、装置、设备、介质及程序产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种自旋轨道矩有效场的测量方法、装置、设备、介质及程序产品，涉及自旋电子技术领域，包括：获取面内磁各向异性薄膜的目标样品，沿平行于目标样品的第一方向往目标样品施加电流，并在垂直于第一方向的第二方向上往目标样品施加一扫描磁场，其中第一方向为电流方向，第二方向为平面内垂直于电流方向的方向；在施加扫描磁场的过程中，检测目标样品在扫描磁场下的电压，得到电压对应的电阻对磁场的二阶磁电阻曲线；基于在不同电流条件下二阶磁电阻曲线上特征点对应的磁场值的偏移量，确定目标样品的自旋轨道矩有效场。本申请实现了在不依赖一阶曲线形态和避免温漂干扰下，对面内磁各向异性薄膜自旋轨道矩有效场的高精度高可靠性测量。
本发明授权自旋轨道矩有效场的测量方法、装置、设备、介质及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种自旋轨道矩有效场的测量方法，其特征在于，所述自旋轨道矩有效场的测量方法包括： 获取面内磁各向异性薄膜的目标样品，沿平行于所述目标样品的第一方向往所述目标样品施加电流，并在垂直于所述第一方向的第二方向上往所述目标样品施加一扫描磁场，其中，所述第一方向为电流方向，所述第二方向为平面内垂直于所述电流方向的方向； 在施加所述扫描磁场的过程中，检测所述目标样品在所述扫描磁场下的电压，得到所述电压对应的电阻对磁场的二阶磁电阻曲线； 基于在不同电流条件下所述二阶磁电阻曲线上特征点对应的磁场值的偏移量，确定所述目标样品的自旋轨道矩有效场。
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