青岛海存微电子有限公司熊丹荣获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利一种多次可编程存储单元及存储阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121075385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511630310.6，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权一种多次可编程存储单元及存储阵列是由熊丹荣;张玉;马晓姿;张超;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多次可编程存储单元及存储阵列在说明书摘要公布了：本申请提供一种多次可编程存储单元及存储阵列，涉及半导体技术领域，用于解决现有多次可编程存储单元功耗高的问题。该多次可编程存储单元从下到上包括依次堆叠的第一反铁磁层、自由层、势垒层、参考层、耦合层、固定层和第二反铁磁层；对第一反铁磁层施加写入电流，在参考层与固定层产生的非对称杂散场和写入电流的协同作用下，可实现多次可编程存储单元的低功耗数据写入，且无需额外的写入控制和额外晶体管，仅通过器件自身的物理结构即可实现单向写入，且无法仅通过电流改变其写入数据，同时提高其写入可靠性；通过施加擦除电流以及特定强度的外部磁场来实现数据的清除，有效解决了当前多次可编程存储单元在擦除过程中功耗过高的问题。
本发明授权一种多次可编程存储单元及存储阵列在权利要求书中公布了：1.一种多次可编程存储单元，其特征在于，从下到上包括依次堆叠的第一反铁磁层、自由层、势垒层、参考层、耦合层、固定层和第二反铁磁层； 其中，基于所述参考层与所述固定层分别产生的杂散场方向相反且强度不同以产生非对称杂散场； 设定初始态为第一阻态，对所述第一反铁磁层施加写入电流，所述多次可编程存储单元在所述非对称杂散场的作用下写入为第二阻态； 对所述第一反铁磁层施加擦除电流，同时，对所述多次可编程存储单元施加与所述非对称杂散场方向相反的外部磁场，以清除所述多次可编程存储单元中存储的数据，所述外部磁场的强度大于所述非对称杂散场的强度。
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