深圳平湖实验室刘轩获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种氮化镓器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511615234.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮化镓器件及电子设备是由刘轩;周春华设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓器件及电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种氮化镓器件及电子设备，通过在P‑GaN层下方的沟道层内设置沿源极指向漏极的方向上厚度不均匀的背势垒层，且靠近源极的厚度更大，靠近漏极的厚度更小，这样厚度大的区域可以提高2DEG的限域性，厚度小的区域可以降低沟道电阻，因此本公开通过对P‑GaN层下方背势垒层厚度的调整，可以避免传统设计中只采用单一厚度背势垒层时导致的沟道电阻较大或者短沟道效应较明显的问题，本公开可以有效平衡短沟道效应和导通特性间的折中关系。
本发明授权一种氮化镓器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：沿外延方向依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；以及包括： 源极和漏极，位于所述势垒层的两侧，所述源极和所述漏极分别与所述沟道层电连接； P-GaN层，位于所述势垒层远离所述衬底的一侧，且位于所述源极和所述漏极之间； 栅极，位于所述P-GaN层远离所述衬底的一侧； 背势垒层，位于所述缓冲层内，或者位于所述沟道层内，或者位于所述缓冲层和所述沟道层之间；沿所述源极指向所述漏极的方向，所述背势垒层包括至少两种不同厚度的区域，所述源极指向所述漏极的方向与所述外延方向垂直，所述背势垒层中靠近所述源极的区域厚度大于靠近所述漏极的区域厚度，所述P-GaN层在所述衬底上的正投影覆盖所述背势垒层的不同厚度区域在所述衬底上的正投影； 所述沟道层远离所述衬底的表面为平整表面； 所述源极在所述衬底上的正投影与所述背势垒层在所述衬底上的正投影不交叠，所述漏极在所述衬底上的正投影与所述背势垒层在所述衬底上的正投影不交叠。
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