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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121091594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511632778.9，技术领域涉及：G03F1/44；该发明授权掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜是由殷诗淇;罗招龙;王康设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜，该方法应用于由至少两个子掩膜拼接形成的掩膜，该掩膜包括基于相邻子掩膜的重叠区域形成的拼接区域。该方法包括：获取掩膜上的掩膜图案并将其拆分为拼接图案和非拼接图案；利用对应掩膜图案的全图案光学邻近效应模型，对掩膜图案的光刻行为进行预测，得到预测光刻图案；在检测到预测光刻图案中的预测拼接光刻图案中存在缺陷的情况下，根据缺陷检测结果和拼接图案的关键尺寸复合调整规则，对拼接图案中与缺陷相对应的位置的关键尺寸进行调整处理；输出处理后的目标掩膜图案。通过本申请实施例，提升了在掩膜流片前，针对位于拼接区域内的掩膜图案进行缺陷处理的效率。

本发明授权掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜在权利要求书中公布了：1.一种掩膜图案的处理方法，其特征在于，所述掩膜图案的处理方法应用于由至少两个子掩膜拼接形成的掩膜；其中，任一所述子掩膜包括重叠区域；基于相邻的所述子掩膜的重叠区域形成所述掩膜的拼接区域；所述掩膜图案的处理方法包括： 获取所述掩膜上的掩膜图案； 将所述掩膜图案拆分为拼接图案和非拼接图案；其中，所述拼接图案为所述子掩膜上落入所述拼接区域内的掩膜图案；所述非拼接图案为所述子掩膜上落入所述拼接区域外的掩膜图案；所述拼接图案对应的透光率和所述非拼接图案对应的透光率不同； 利用对应所述掩膜图案的全图案光学邻近效应模型，对所述掩膜图案的光刻行为进行预测，得到预测光刻图案；其中，所述预测光刻图案包括与所述拼接图案对应的预测拼接光刻图案； 在检测到所述预测拼接光刻图案中存在缺陷的情况下，根据所述预测拼接光刻图案的缺陷检测结果和拼接图案的关键尺寸复合调整规则，对所述拼接图案中与所述预测拼接光刻图案的缺陷相对应的位置的关键尺寸进行调整处理； 输出处理后的目标掩膜图案。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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