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龙图腾网获悉成都中航华测科技有限公司申请的专利一种动态随机存取存储器的老化测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121096415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511597847.7，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种动态随机存取存储器的老化测试方法是由田永胜;熊飞跃;李明聪设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种动态随机存取存储器的老化测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种动态随机存取存储器的老化测试方法，涉及存储器测试技术领域。包括有：S1：模型建立：对参考芯片样本进行老化测试，并监测获取测试结果，同时根据测试结果和统计分析模型，构建得到实时监测参数和芯片长期寿命之间的关联模型；S2：闭环测试：根据所述关联模型，确定出损伤控制阈值，同时根据所述损伤控制阈值，对待测DRAM芯片老化测试的选定电学参数进行监测，并调整测试参数；S3：测试判定：对每个所述待测DRAM芯片进行功能测试，确定出芯片测试结果。可以避免传统老化测试中因过苛应力导致良品芯片隐性损伤的问题，保证出厂芯片在实际使用中的长期寿命和稳定性。

本发明授权一种动态随机存取存储器的老化测试方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器的老化测试方法，其特征在于，包括有： S1：模型建立：对参考芯片样本进行老化测试，并监测获取测试结果，同时根据测试结果和统计分析模型，构建得到实时监测参数和芯片长期寿命之间的关联模型； S2：闭环测试：根据所述关联模型，确定出损伤控制阈值，同时根据所述损伤控制阈值，对待测DRAM芯片老化测试的选定电学参数进行监测，并调整测试参数，包括有： S2.1：阈值设定：将所述待测DRAM芯片的使用寿命作为关联模型的输入，输出获取监测选定电学参数阈值，设置为损伤控制阈值范围的上限阈值，同时根据所述监测选定电学参数阈值的调节比例，设置损伤控制阈值范围的下限阈值； S2.2：测试监测：通过应力施加模块和在线监测模块，对所述待测DRAM芯片进行老化测试，并实时监测获取每个所述待测DRAM芯片的选定电学参数； S2.3：监测反馈：将所述待测DRAM芯片的选定电学参数与损伤控制阈值范围进行比较，确定出每个所述待测DRAM芯片对应的决策区间，具体为： 当所述选定电学参数小于损伤控制阈值范围的下限阈值时，则处于蓝色优化区，此时提高测试应力；当所述选定电学参数位于损伤控制阈值范围内时，则处于绿色安全区，此时保持测试参数；当所述选定电学参数大于损伤控制阈值范围的上限阈值，则处于红色警报区，此时降低测试应力； S3：测试判定：对每个所述待测DRAM芯片进行功能测试，确定出芯片测试结果，具体为： 当所述待测DRAM芯片出现功能失效，则为缺陷芯片，反之，则为良品芯片。

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