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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利太阳能电池及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099781B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511645709.1，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权太阳能电池及其制造方法是由冉超;苗劲飞;周静;邱彦凯设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括基底、多晶硅层和多条副栅，所述多晶硅层位于所述基底的一侧，所述多晶硅层包括交替排布的凹陷部和凸起部，且沿平行于所述基底的表面的第一方向上，所述凸起部的宽度依次增大；多条所述副栅位于所述多晶硅层远离所述基底的一侧，且每条所述副栅均与一所述凸起部接触；其中，所述第一方向为远离所述基底的中线的方向，所述中线的延伸方向与所述凸起部的延伸方向相同。本申请确保了太阳能电池中的每条副栅均与一所述凸起部接触，提高了太阳能电池中副栅与多晶硅层的凸起部之间的对位精度，从而有助于提升太阳能电池的效率和可用率。

本发明授权太阳能电池及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，于所述基底的一侧表面形成多晶硅层，并于所述多晶硅层上形成保护层； 对所述保护层进行激光开膜处理，以于所述保护层内形成非接触区； 对所述非接触区及所述多晶硅层中位于所述非接触区的正下方的部分进行刻蚀处理，于所述多晶硅层内形成多个相互间隔的凹陷部，所述多晶硅层中位于所述保护层的正下方的部分形成凸起部，且沿平行于所述基底的表面的第一方向上，所述凸起部的宽度依次增大，所述第一方向为远离所述基底的中线的方向，且所述中线的延伸方向与所述凸起部的延伸方向相同； 进行丝网印刷处理，于所述多晶硅层远离所述基底的一侧形成多条副栅，且每条所述副栅仅形成于一所述凸起部上，所述副栅的延伸方向和所述凸起部的延伸方向相同； 其中，对所述保护层进行激光开模处理的过程包括： 提供激光源，所述激光源包括相互平行的两条激光，两条所述激光分别对应的激光处理区域至少部分交叠； 采用所述激光源对所述保护层进行多次激光开膜处理，每次所述激光开膜处理形成一所述非接触区； 其中，所述非接触区的宽度与两个所述激光处理区域之间的交叠面积呈反相关。

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