上海大学殷录桥获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海大学申请的专利基于AI优化的Micro-LED无掩膜数字光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121115426B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511626497.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于AI优化的Micro-LED无掩膜数字光刻方法是由殷录桥;戴高宇;张建华;任开琳设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于AI优化的Micro-LED无掩膜数字光刻方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于AI优化的Micro‑LED无掩膜数字光刻方法、设备和存储介质，涉及光刻领域，该方法包括获取目标光刻性能参数和双向神经网络，双向神经网络包括正向网络和反向网络，正向网络被训练为能够根据光刻工艺参数预测对应的光刻性能参数，反向网络被训练为能够根据光刻性能参数预测对应的光刻工艺参数；通过反向网络得到与目标光刻性能参数对应的候选光刻工艺参数；通过正向网络得到与候选光刻工艺参数对应的参考光刻性能参数；当参考光刻性能参数与目标光刻性能参数相同时，将候选光刻工艺参数作为Micro‑LED无掩膜数字光刻系统的目标光刻工艺参数，可以快速确定符合光刻性能要求的光刻工艺参数，从而可以提高Micro‑LED无掩膜数字光刻效率。
本发明授权基于AI优化的Micro-LED无掩膜数字光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种基于AI优化的Micro-LED无掩膜数字光刻方法，其特征在于，包括： 获取目标光刻性能参数和双向神经网络，所述双向神经网络包括正向网络和反向网络，所述正向网络被训练为能够根据光刻工艺参数预测对应的光刻性能参数，所述反向网络被训练为能够根据光刻性能参数预测对应的光刻工艺参数； 将所述目标光刻性能参数作为所述反向网络的输入，通过所述反向网络得到与所述目标光刻性能参数对应的候选光刻工艺参数； 将所述候选光刻工艺参数作为所述正向网络的输入，通过所述正向网络得到与所述候选光刻工艺参数对应的参考光刻性能参数； 当所述参考光刻性能参数与所述目标光刻性能参数相同时，将所述候选光刻工艺参数作为Micro-LED无掩膜数字光刻系统的目标光刻工艺参数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海大学，其通讯地址为：200444 上海市宝山区上大路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励