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龙图腾网获悉泉州师范学院申请的专利一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511656948.7，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积方法及其结构是由林胤哲;王锋;陈文杰;吴巍设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积方法及其结构，该方法包括：在SiCNSiCO复合低k介质层中刻蚀通孔，并经NH3等离子体活化以引入表面氮活性位点；采用原子层沉积技术在通孔内表面制备钴种子层，再以硫酸盐电解液体系施加脉冲电流，实现钴自底向上无空洞填充；再通过表面平坦化去除多余钴层，形成钴‑介质层复合结构；最后以钴结构为掩模进行反刻蚀，去除外围介质层，使沟槽与通孔内的钴分别形成条状金属线条与柱状连接体，获得高密度金属互连线条。本发明通过开发适用于半大马士革结构的钴电沉积方法，采用脉冲电流模式与硫酸盐电解液体系，将金属层生长速率显著提升，满足大规模量产的效率需求，降低设备占用成本。

本发明授权一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 步骤1、通过等离子体刻蚀在SiCN与SiCO组成的复合低k介质层中形成通孔结构，得到具有通孔结构的介质层基体； 步骤2、对具有通孔结构的介质层基体表面进行NH3等离子体活化处理，得到表面富含氮活性位点的活化介质层结构； 步骤3、在表面富含氮活性位点的活化介质层结构的通孔内表面，采用原子层沉积技术，以双环戊二烯基钴为前驱体，沉积一层连续覆盖的钴种子层，得到带钴种子层的介质层结构； 步骤4、将带钴种子层的介质层结构置于定制电沉积槽中，采用由七水合硫酸钴、柠檬酸、聚乙二醇与硫脲组成的硫酸盐电解液体系，并施加脉冲电流；钴离子在脉冲电场作用下自底向上生长，得到经过钴填充后的介质层结构； 步骤5、对经过钴填充后的介质层结构依次进行抛光和反刻蚀处理，以得到高密度金属互联线条； 其中，在得到高密度金属互联线条的过程中，具体包括如下子步骤： 对经过钴填充后的介质层结构进行表面平坦化处理，采用化学机械抛光或反应离子刻蚀，去除介质层表面的多余钴层，仅保留位于通孔与沟槽内部的钴结构，形成钴-介质层复合结构； 利用钴-介质层复合结构进行自对准掩模，采用Cl2BCl3O2混合等离子体进行反刻蚀处理，直至钴结构外围的SiCNSiCO复合低k介质层完全去除，从而使得沟槽内的钴形成条状金属线条，通孔内的钴形成柱状连接体，所述条状金属线条与柱状连接体一体成型。

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