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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种人工晶体生长用稳定装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121137783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511695647.5，技术领域涉及：C30B15/10；该发明授权一种人工晶体生长用稳定装置及方法是由郭勇文;黄晋强;权纪亮;谢柳平;吴枚霞;张雅丽;柯观振;刘纪岸;李汉达;黄国伟设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种人工晶体生长用稳定装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及人工晶体生长技术领域，且公开了一种人工晶体生长用稳定装置及方法，一种人工晶体生长用稳定装置，包括底座，底座顶部固定连接有提拉炉，还包括：坩埚，提拉炉底部固定连接有多组支撑架，坩埚固定连接在多组支撑架之间，提拉炉内设置有打开或封闭坩埚顶端的启闭部；提拉架，提拉炉的顶部固定连接有支撑座，提拉架安装在支撑座顶部，提拉架上设置有帮助晶体生长的提拉部，支撑座与提拉架底部之间设置有防震部；本发明通过减震胶垫、上限位器以及下限位器的设置，能够在支撑座与提拉架之间形成有效的减震作用，从而避免因各种因素产生的震动对晶体生长的提拉产生不利影响，确保晶体提拉生长过程中的稳定性，进而提高了晶体生长质量。

本发明授权一种人工晶体生长用稳定装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种人工晶体生长用稳定装置，包括底座1，其特征在于，所述底座1顶部固定连接有提拉炉2，还包括： 坩埚21，所述提拉炉2底部固定连接有多组支撑架22，所述坩埚21固定连接在多组支撑架22之间，且所述提拉炉2内设置有打开或封闭坩埚21顶端的启闭部； 提拉架3，所述提拉炉2的顶部固定连接有支撑座31，所述提拉架3安装在支撑座31顶部，所述提拉架3上设置有帮助晶体生长的提拉部，且所述支撑座31与提拉架3底部之间设置有防震部； 其中，所述提拉架3的两侧均固定连接有活塞盒4，所述活塞盒4上设置有降低提拉炉2内气压的导气部； 所述防震部包括减震胶垫5，所述减震胶垫5的两端均固定连接有螺栓，所述提拉架3的底部固定连接有上限位器51，所述支撑座31的顶部固定连接有下限位器52，所述上限位器51和下限位器52均对称设置有四组，所述减震胶垫5的下端螺栓与下限位器52的穿孔之间螺纹连接，所述下限位器52的外壁贴合的嵌入上限位器51的内腔，所述减震胶垫5的上端螺栓穿过上限位器51的穿孔并通过螺母与提拉架3底部固定连接； 所述提拉部包括垂直螺杆6，所述垂直螺杆6转动连接在提拉架3的内腔中部，所述提拉架3的顶部固定连接有驱动电机32，所述驱动电机32的输出轴与垂直螺杆6的顶端固定连接，所述垂直螺杆6上螺纹套接有升降套61，所述升降套61侧壁上固定连接有升降板62，所述升降板62的底部转动连接有提拉杆63，所述提拉杆63的底端贯穿至提拉炉2内并固定连接有夹持部； 所述导气部包括活塞板41，所述活塞板41滑动连接在活塞盒4内，所述活塞板41侧壁与活塞盒4内壁之间固定连接有复位弹簧42，所述活塞板41的外侧壁上固定连接有动梯形板43，所述升降套61的两侧均固定连接有定梯形板44，所述定梯形板44与动梯形板43相对齐，两侧所述活塞盒4之间通过第一导管45相连通，所述第一导管45的中部固定且连通有第二导管451，所述提拉炉2的侧壁上固定且连通有吸气管452，所述吸气管452的另一端与第二导管451相连通，且所述吸气管452内设置有单向阀； 所述启闭部包括两组封闭板9，所述提拉炉2的内腔底部两侧均转动连接有旋转轴91，所述封闭板9固定连接在旋转轴91的顶端，且所述底座1内设置有驱动旋转轴91的气动部。

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