深圳市先进连接科技有限公司李俊杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市先进连接科技有限公司申请的专利功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121148994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511687776.X，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用是由李俊杰;吴昊;岑玮;靳继亨设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用，涉及功率半导体连接技术领域，其中方法包括：将金属烧结材料涂覆在功率半导体芯片或晶圆的顶部，接着进行烧结处理；当烧结处理为有压烧结处理时，将涂覆金属烧结材料的功率半导体芯片或晶圆以第一温度进行烘烤处理，烘烤处理完成后在经烘烤处理后的金属烧结材料表面垫覆隔离材料，再以第二温度进行有压烧结处理；当烧结处理为无压烧结处理时，将涂覆金属烧结材料的功率半导体芯片或晶圆以第三温度进行无压烧结处理；第一温度小于第二温度和第三温度；金属烧结材料涂覆的厚度为1~1000μm；晶圆为未切割的功率半导体芯片前体。本发明提供的技术方案工艺简单成本低廉。
本发明授权功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体芯片顶部金属层的制备方法，其特征在于，包括： 将金属烧结材料涂覆在功率半导体芯片或晶圆的顶部，接着进行烧结处理； 当所述烧结处理为有压烧结处理时，将涂覆金属烧结材料的功率半导体芯片或晶圆以第一温度进行烘烤处理，烘烤处理完成后在经烘烤处理后的金属烧结材料表面垫覆隔离材料，再以第二温度进行有压烧结处理； 当所述烧结处理为无压烧结处理时，将涂覆金属烧结材料的功率半导体芯片或晶圆以第三温度进行无压烧结处理； 其中，所述第一温度小于所述第二温度和所述第三温度，所述第一温度为50~200℃，所述第二温度为100~400℃，所述第三温度为100~400℃； 所述金属烧结材料涂覆的厚度为1~1000μm； 所述晶圆为未切割的功率半导体芯片前体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市先进连接科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区沙井街道后亭社区后亭茅洲山工业园工业大厦全至科技创新园科创大厦20层F；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励