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龙图腾网获悉芯辰半导体(苏州)有限公司申请的专利一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121172561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511708610.1，技术领域涉及：H01S5/11；该发明授权一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器是由陈恩生;杨超;王又子;莫敏玲设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器，涉及激光器技术技术领域，该激光器自下而上依次包括n型衬底、底部单层渐变光子晶体层、n型DBR层、有源区、p型DBR层、层间隔离层、顶部双层异质渐变光子晶体层及电极结构；通过底部孔径、晶格常数及孔深的径向渐变与顶部异质双层光子晶体的多维协同调控，实现高阶模抑制与基模稳定增强，兼顾大孔径结构下的高功率输出与单模稳定性，提高了单模VCSEL在宽温、宽电流范围内的模式纯度与制造兼容性，并具备优异的环境适应性与批量制程一致性。

本发明授权一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种双梯度光子晶体协同调控的单模垂直腔面发射激光器，其特征在于，从下至上依次包括： n型衬底1、底部单层渐变光子晶体层2、n型分布式布拉格反射镜层3、有源区4、p型分布式布拉格反射镜层5、层间隔离层6、顶部双层异质渐变光子晶体层7及金属电极结构；所述p型分布式布拉格反射镜层5中设有氧化孔径9，所述层间隔离层6包括底层隔离层61和中层隔离层62，所述顶部双层异质渐变光子晶体层7包括下层正方形晶格光子晶体71与上层三角形晶格光子晶体72； 所述底部单层渐变光子晶体层2为六边形晶格孔阵列，孔直径、晶格常数及孔深沿径向从中心向边缘呈连续渐变分布； 所述下层正方形晶格光子晶体71的孔直径与晶格常数沿径向呈连续渐变分布，所述上层三角形晶格光子晶体72的孔深沿径向呈连续渐变分布且孔形状从中心圆形向边缘椭圆形渐变； 所述层间隔离层6为Al2O3层，底层隔离层61位于p型分布式布拉格反射镜层5与下层正方形晶格光子晶体71之间，中层隔离层62位于下层正方形晶格光子晶体71与上层三角形晶格光子晶体72之间； 所述底部单层渐变光子晶体层2的孔阵列材料与n型衬底1一致，孔内填充SiO2或Al2O3，孔直径沿径向从中心150-200nm渐变至边缘250-300nm，晶格常数沿径向从中心400-450nm渐变至边缘550-600nm，孔深沿径向从中心200-300nm渐变至边缘400-500nm； 所述下层正方形晶格光子晶体71的材料为Al含量80%-85%的AlGaAs，孔深固定且与p型分布式布拉格反射镜层5的单周期光学厚度适配；所述上层三角形晶格光子晶体72的材料为InGaAs，晶格取向与下层正方形晶格光子晶体71呈60°夹角，孔的长轴短轴比沿径向从1:1渐变至2:1。

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