长春理工大学魏志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种基于三器件片上集成的中红外激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121172567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511686540.4，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种基于三器件片上集成的中红外激光器及其制备方法是由魏志鹏;栗博;唐吉龙设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于三器件片上集成的中红外激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于三器件片上集成的中红外激光器及其制备方法，涉及半导体激光技术与光通信技术交叉领域，缓解了现有量子级联激光器QCL技术存在高调制速率与高功率无法兼顾的问题。一种中红外激光器，包括依次设置于衬底上的QCL单元、EAM单元和SOA单元；所述衬底包括半绝缘InP；所述QCL单元、EAM单元和SOA单元共享同一脊形波导结构，并通过外延对接生长。本发明所述的方法适用于对激光调制速率、输出功率及单模稳定性有高要求的中红外波段空间通信场景。
本发明授权一种基于三器件片上集成的中红外激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种中红外激光器，其特征在于，包括依次设置于衬底上的QCL单元、EAM单元和SOA单元； 所述衬底包括半绝缘InP； 所述QCL单元、EAM单元和SOA单元共享同一脊形波导结构，并通过外延对接生长； 所述的QCL单元采用分布式反馈DFB结构和应变补偿结构；所述QCL单元的有源区采用35级应变和对应的In1-xGaxAs量子阱和In1-yAlyAs势垒材料体系，其中，y≥0.48； 所述的有源区中，所述分布式反馈DFB结构包括采样分布布拉格反射区和分布反馈增益区； 所述QCL单元的分布反馈增益区带有等效λ4相移； 所述EAM单元的材料体系为InGaAsInAlAs；结构为量子阱；光学结构为波导型； 所述In1-xGaxAs量子阱为In0.53Ga0.47As量子阱； 优化量子阱周期与光栅周期，用于确保输出激光波长覆盖8-14μm中红外大气窗口。
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