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龙图腾网获悉深圳方正微电子有限公司申请的专利一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174571B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511691838.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片是由马鸿铭;蔡宗叡;贺冠中;石丹兵;刘韧设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片，通过将器件内部的P型阱区离散为掺杂浓度不同的第一P型阱区和第二P型阱区，在器件阻断状态下，主要由第一P型阱区发挥耐压结的作用，第一P型阱区的高掺杂可以确保器件的击穿电压满足要求；且第一P型阱区的高掺杂可以对第二P型阱区沟道附近的第二电流扩展层进行耗尽，避免第二P型阱区提前击穿，并且通过第一P型阱区对沟槽底部拐角处的包裹，在器件阻断状态下可以终止漏极电场线实现栅氧化层中电场峰值的转移，提升器件栅极可靠性，延长使用寿命；同时对漏极电压起到一定屏蔽作用，降低栅极沟槽底部的寄生电容，优化栅漏电荷，优化了器件的动态特性。

本发明授权一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种沟槽碳化硅MOSFET，其特征在于，所述沟槽碳化硅MOSFET包括：漏极层、碳化硅衬底、N型漂移区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一电流扩展层、第二电流扩展层、栅氧化层、N型重掺杂区、绝缘介质层、源极层以及多个P型重掺杂区； 所述漏极层、所述碳化硅衬底以及所述N型漂移区在第一方向上层叠设置，所述N型漂移区为凸形结构，所述栅氧化层形成于所述N型漂移区的凸起部，且所述栅氧化层内形成有栅极层； 所述第一P型阱区和所述第一电流扩展层形成于所述N型漂移区的水平部上，且所述第一P型阱区包裹所述栅氧化层的底部拐角；所述第二电流扩展层形成于所述第一P型阱区和所述第一电流扩展层上，所述第二P型阱区形成于所述第二电流扩展层的水平部上，所述N型重掺杂区形成于所述第二P型阱区的水平部上，所述第一P型阱区、所述第二电流扩展层、所述第二P型阱区、所述N型重掺杂区在第二方向上的第一预设截面内位于所述栅氧化层两侧； 多个所述P型重掺杂区在第三方向上间隔设置于所述第二P型阱区上，且在第二方向上的第二预设截面内位于所述第二P型阱区与所述第二电流扩展层的垂直部之间；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向互相垂直；第一P型阱区的掺杂浓度大于第二P型阱区的掺杂浓度； 所述源极层与所述第二电流扩展层之间为肖特基接触，所述源极层与所述N型重掺杂区、P型重掺杂区以及所述第二P型阱区之间为欧姆接触，所述绝缘介质层设置于所述源极层与所述栅极层之间。

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