中国科学院重庆绿色智能技术研究院曹良成获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院重庆绿色智能技术研究院申请的专利基于体素化的异质结构复合推进剂3D打印路径规划方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121211777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511769008.9,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权基于体素化的异质结构复合推进剂3D打印路径规划方法是由曹良成;王波;折见彪;吴文杰;杨守峰设计研发完成,并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于体素化的异质结构复合推进剂3D打印路径规划方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于体素化的异质结构复合推进剂3D打印路径规划方法,涉及复合推进剂增材制造技术领域,该方法包括建立异质结构复合推进剂空心圆柱模型;定义初级体素长、宽、高尺寸;将初级体素高作为层高,对空心圆柱模型在高度方向上进行切片,得到层模型;针对各层模型,根据空心圆柱模型的内径、外径以及初级体素宽和线间距创建同心圆;初级体素拟合同心圆生成打印路径,并基于初级体素长度和对应同心圆半径计算各初级体素的端点坐标;对各初级体素的材料信息进行赋值;根据材料信息渲染推进剂模型实现可视化;基于各初级体素的端点坐标、材料信息生成G代码。本发明大幅提升异质结构复合推进剂设计自由度,可有效改善打印质量。
本发明授权基于体素化的异质结构复合推进剂3D打印路径规划方法在权利要求书中公布了:1.一种基于体素化的异质结构复合推进剂3D打印路径规划方法,其特征在于,所述方法包括: 获取异质结构复合推进剂空心圆柱模型和切片参数;所述切片参数包括初级体素长、初级体素宽、初级体素高、线间距;所述初级体素表示设定最小打印单元;所述线间距表示相邻同心圆对应两参考圆之间的距离; 将初级体素高作为层高,对空心圆柱模型在高度方向上进行切片,得到层模型; 针对各层模型,根据空心圆柱模型的内径、外径以及初级体素宽和线间距创建同心圆; 在各同心圆所在路径上创建初级体素,并基于初级体素长度和对应同心圆半径计算各初级体素的端点坐标,实现模型体素化;所述基于初级体素长度和对应参考圆半径计算各初级体素的端点坐标包括:按照如下公式计算各初级体素在对应同心圆所在平面的二维坐标: Δφ表示初级体素长度L对应参考圆的圆心角;xi,yi表示第ii≥0个初级体素在对应同心圆所在平面的二维坐标;i=0时,即x0,y0表示该同心圆上起始初级体素的二维坐标;R表示对应同心圆的参考圆半径;L表示初级体素长度; 根据初级体素所在层模型的层数kk≥1,确定该初级体素的三维坐标高度zi: 式中,h表示初级体素高; 根据二维坐标和三维坐标高度,计算得到该初级体素的端点坐标为xi,yi,zi; 对各初级体素的打印材料信息进行材料赋值和渲染,实现复合推进剂可视化设计; 基于各初级体素的端点坐标、打印材料信息,生成打印路径。
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