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龙图腾网获悉盛吉盛半导体科技(北京)有限公司申请的专利用于RTP设备的辐射率补偿方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121215574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511786983.0，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权用于RTP设备的辐射率补偿方法、装置、设备及介质是由李志达;赵丽新;梁倩;崔江华;郑秉全;金洲;卢志辉设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于RTP设备的辐射率补偿方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于RTP设备的辐射率补偿方法、装置、设备及介质，其属于半导体设备技术领域，所述辐射率补偿方法包括以下步骤：获取不同晶圆位于第一工位时的历史数据；获取第一次空腔状态时的第一反射信号；获取晶圆在第一工位时的第一辐射率和晶圆在第二工位时的第二辐射率；获取空腔状态的第二反射信号，根据第一反射信号和第二反射信号计算得到空腔反射信号衰减值；计算得到辐射率补偿值；根据第一辐射率和辐射率补偿值计算得到最终辐射率；第一工位和第二工位均位于腔体内，第一工位在第二工位下方。本发明通过不同位置辐射率和空腔反射信号衰减值综合对辐射率进行补偿，避免温度测量不准的情况，保证了辐射率和温度测量准确性。

本发明授权用于RTP设备的辐射率补偿方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种用于快速热处理设备的辐射率补偿方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：获取若干不同晶圆位于第一工位时的历史数据，所述历史数据中包括历史反射信号和历史辐射率； S2：获取第一次空腔状态时的第一反射信号； S3：获取若干晶圆在第一工位时的第一辐射率和若干晶圆在第二工位时的第二辐射率； S4：获取预设次空腔状态的若干第二反射信号，根据步骤S2中获取的第一反射信号和所述若干第二反射信号计算得到空腔反射信号衰减值； S5：根据步骤S1中获取的若干组工作位置历史数据、步骤S3中获取的第一辐射率、步骤S3中获取的第二辐射率和步骤S4中获取的空腔反射信号衰减值计算得到辐射率补偿值； S6：根据步骤S3中获取的第二辐射率和步骤S5中获取的辐射率补偿值计算得到最终辐射率； 其中，S4包括以下步骤： S41：获取预设次空腔状态的若干第二反射信号； S42：计算步骤S41中获取的每个第二反射信号相对于其他第二反射信号的相关熵； S43：从步骤S42中获取的相关熵中选择最大的相关熵，将最大的相关熵对应的第二反射信号作为空腔反射信号； S44：根据步骤S2中获取的第一反射信号和步骤S43中获取的空腔反射信号计算得到空腔反射信号衰减值； S5包括以下步骤： S51：根据步骤S1中获取的若干组工作位置历史数据采用最小二乘法计算得到历史反射信号和历史辐射率对应线性方程的第一斜率； S52：根据步骤S3中获取的第一辐射率和步骤S3中获取的第二辐射率采用最小二乘法计算得到第一辐射率和第二辐射率对应线性方程的第二斜率和辐射率截距； S53：根据步骤S51中获取的第一斜率、步骤S52中获取的第二斜率和步骤S4中获取的空腔反射信号衰减值计算得到辐射率补偿值； 所述第一工位和所述第二工位均位于腔体内，所述第一工位在所述第二工位下方；所述第一工位作为晶圆加工时的位置，第二工位为晶圆初始位置，晶圆在第一工位相对于在第二工位更易因受热不均导致形变。

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