泉州昆泰芯微电子科技有限公司王超获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州昆泰芯微电子科技有限公司申请的专利AMR磁阻单元、AMR磁阻模块、角度传感器及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121230609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511795335.1，技术领域涉及：G01B7/30；该发明授权AMR磁阻单元、AMR磁阻模块、角度传感器及芯片是由王超;钱振煌;刘大权设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本AMR磁阻单元、AMR磁阻模块、角度传感器及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AMR磁阻单元、AMR磁阻模块、角度传感器及芯片，其中，AMR磁阻单元，包括：第一AMR磁阻单元；所述第一AMR磁阻单元包括多个第一AMR磁阻条，多个所述第一AMR磁阻条均围绕一圆心且沿径向分布，并且各个所述第一AMR磁阻条均为60度的弧形条状结构。本发明是一种能够更好地消除谐波，尤其是6次谐波，减小磁畴集体迟滞与噪声，提高抗偏心能力的AMR磁阻单元、AMR磁阻模块、角度传感器及芯片。
本发明授权AMR磁阻单元、AMR磁阻模块、角度传感器及芯片在权利要求书中公布了：1.一种AMR磁阻单元，其特征在于，包括： 第一AMR磁阻单元； 所述第一AMR磁阻单元包括多个第一AMR磁阻条，多个所述第一AMR磁阻条均围绕一圆心且沿径向分布，并且各个所述第一AMR磁阻条均为60度的弧形条状结构； 多个所述第一AMR磁阻条中，每个所述第一AMR磁阻条的弧长大于其内侧相邻的第一AMR磁阻条的弧长，且所述第一AMR磁阻单元整体呈扇形结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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